ВЛИЯНИЕ ПАРАМЕТРОВ ПРОЦЕССА ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ НА ИХ СВОЙСТВА
Рассмотрим влияние параметров процесса выращивания монокристаллов, связанных с конструкцией установки, на свойства кристаллов. Свойства выращиваемых монокристаллов определяются режимами выращивания и конструктивными параметрами: расположением тигля с расплавом по отношению к нагревателю, размерами и формой тигля с подставкой, частотой вращения затравки и тигля, скоростью подъема затравки, экранировкой, конструкцией нагревателя и др.
В методе Чохральского объем кристаллизующегося расплава в тигле значителен и поэтому гидродинамические потоки в расплаве оказывают существенное влияние на форму диффузионного слоя на фронте кристаллизации. На рисунке ниже показаны различные виды распределения гидродинамических потоков в расплаве и их влияние на форму диффузионного слоя на фронте кристаллизации монокристалла, выращиваемого методом Чохральского.
Различные виды распределения гидродинамических потоков в расплаве:
а — без вращения; б — с вращением тигля (25 об/мин); в — с вращением кристалла (100 об/мин)
При отсутствии вращения кристалла 2 и тигля с расплавом1 возникают конвективные потоки жидкости 4, направленные от горячих стенок тигля к более холодной центральной части расплава (рисунок а). При этих условиях диффузионный слой 3 имеет наибольшую толщину в центре, а наименьшую — у периферии кристалла, что приводит к увеличению содержания примеси в центре его сечения по сравнению с периферией.
При вращении тигля (рисунок б) расплав центробежными силами отбрасывается к его стенкам, вследствие чего в центральной части расплава возникают потоки жидкости, которые имеют одинаковое направление с тепловыми конвекционными потоками, в результате неоднородность распределения примеси по сечению кристалла увеличивается.
При вращении кристалла вращающаяся в расплаве плоская поверхность действует подобно колесу центробежного насоса, создающего в расплаве вертикальные потоки жидкости (рисунок в).
Направление этих потоков жидкости в центральной части кристалла противоположно направлению тепловых конвекционных потоков, что уменьшает неравномерность толщины диффузионного слоя и, как следствие, неравномерность распределения примесей по поперечному сечению кристалла.
При одновременном вращении тигля и кристалла в расплаве возникают сложные потоки жидкости. Установлено, что кристалл нужно вращать с максимально возможной, а тигель — с минимальной скоростями. Вращение тигля необходимо для обеспечения симметрии теплового поля в области расплава.
На распределение температуры в расплаве можно воздействовать конфигурацией и расположением нагревателей, формой тигля, верхней экранировкой тепловой зоны и технологическими перемещениями.
Рассмотрим температурные поля в расплаве для трех типов нагревателей (рисунок ниже ).
Схема нагревателем для вытягивания монокристаллов германия:
а — донно-боковой; б — боковой; в — донный;
1 — нагреватель; 2 — тигель с расплавом; 3 —- шины питания
При выбранных параметрах, скорости подъема кристалла, частоте вращения тигля и затравки, а также фиксированном положении тигля относительно нагревателя осуществляли выращивание монокристалла германия. В процессе роста слитка в определенные моменты времени в 4—5 сечениях объема расплава измеряли температуры с помощью девяти термопар, помещенных в графитовый диск, опускаемый в расплав с помощью специального приспособления. Обработка опытных данных сводилась к построению изотермических поверхностей в объеме тигля. После обработки опытных данных сравнивали величины разброса удельного сопротивления по сечению кристаллов, полученных при различных тепловых полях.
На рисунке выше, а показана схема наиболее распространенного донно-бокового нагревателя для выращивания монокристаллов германия. Было установлено, что чем глубже тигель погружали в нагреватель, тем режим выращивания становился более неустойчивым. При значениях h = -5,0—20,0 мм (где h — расстояние между верхней кромкой нагревателя и кромкой тигля) вырастить кристалл с постоянным диаметром представляло значительные трудности. Малейшие изменения частоты вращения и скорости подъема затравки отражались на размерах слитка. Установка тигля выше торцевой кромки нагревателя на h = +5,0÷+15,0 мм делала режим более устойчивым.
Таким образом, из рассмотрения основных наиболее часто встречающихся типов нагревателей и создаваемых ими температурных полей в расплаве можно сделать следующий вывод: боковой нагреватель создает большой осевой градиент 5 температуры в расплаве (рисунок ниже, а), а донно-боковой нагреватель создает плавный осевой градиент 6 температуры (рисунок ниже, б).
Форма изотерм (пунктир) и потоков тепла (стрелки) в расплаве для нагревателей:
а —бокового; б—донно-бокового;
1 — кристалл; 2 — тигель; 3 — расами; 4 — нагреватель; 5,6 — градиенты температуры
Примесные неоднородности, называемые примесными полосами, могут возникать в растущем кристалле из-за асимметрии теплового потока расплава или фронта кристаллизации; периодических колебании температуры в расплаве, обусловленных взаимодействием тепловых и гидродинамических процессов, протекающих в расплаве; а также периодических или случайных колебаний в кинематических системах вращения, температур нагревателя или камеры печи, вибрации.
Для уменьшения тепловой асимметрии и градиентов температуры в расплаве, приводящих к примесной неоднородности монокристалла, используют тепловую трубу, которая представляет собой вставленные друг в друга цилиндры, запаянные сверху и снизу. В образовавшуюся полость между цилиндрами помещают теплоноситель (натрий), который, испаряясь в горячей печи, поглощает тепло, а перемещаясь в холодную, конденсируется, выделяя тепло. Внутри тепловой трубы, т. е. в область изотермических температур, помещают тигель с расплавом.
При выращивании монокристаллов германия, легированных галлием, тепловую трубу устанавливают между нагревателем и тиглем таким образом, чтобы верхний край трубы несколько выступал над нагревателем и тиглем, а нижний край находился заподлицо с нагревателем. Наличие тепловой трубы уменьшает градиент температуры в расплаве, а следовательно, и тепловую конвекцию в расплаве и связанные с ней колебания температуры.
Перспективным методом воздействия на расплав является использование электромагнитного поля, которое создается электромагнитным вращателем, выполненным в виде трех бессердечниковых катушек, смещенные в горизонтальной плоскости одна относительно другой на 120°. Вращатель устанавливали снаружи индуктора при высокочастотном нагреве расплава или вокруг нагревателя с экранами при выращивании монокристалла германия в печи с нагревателем сопротивления. Катушки соединялись через три понижающих трансформатора с трехфазным автотрансформатором общей мощностью 10 кВт, питающимся от сети частотой тока 50 Гц.
Наличие электромагнитного воздействия меняет характер поведения расплава, но не влияет на поведение расплава в столбике, примыкающем к растущему кристаллу.
Электромагнитное вращение расплава уменьшает примесную неоднородность выращиваемого монокристалла, воздействует на фронт кристаллизации, который становится плоским, и на величину так называемой эффективной теплопроводности расплава.