Архитектура флэш-памяти и электронных дисков

Организация NOR

Существует несколько типов архитектур (организаций соединений между ячейками) флэш-памяти. Наиболее распространёнными в настоящее время являются микросхемы с организацией NOR и NAND.Название NOR ведет свою родословную от логической операции Not OR(не «или»): если хотя бы один из транзисторов, подключенных к линии битов, включен, то считывается "0". NOR-Ячейки работают сходным с EPROM способом. Каждый транзистор-ячейка подключен к трем линиям: Word Line (линия слов), Select Line (линия выборки) и Bit Line (линия бит). Выборка осуществляется путем подачи высокого напряжения на Word Line, подключенную к затвору, и наблюдения за разницей потенциалов между Select Line (исток) и Bit Line (сток). Если на плавающем затворе находилось достаточное количество электронов, то их отрицательное поле препятствовало протеканию тока между истоком и стоком и напряжение оставалось высоким. Такое состояние полагается в терминах флэш-памяти нулем, в противоположном случае считывается единица.
Интерфейс - параллельный. Возможно как произвольное чтение, так и запись.
Программирование - методом инжекции "горячих" электронов.
Стирание - методом туннеллирования Фаулера-Нордхейма.
Преимущества - быстрый произвольный доступ, возможность побайтной записи.
Недостатки - относительно медленная запись и стирание.