Энергетические состояния в прямоугольной квантовой яме с бесконечными стенками и дополнительным провалом.

Возможность получения слоев с произвольным профилем из­менения состава позволила для улучшения характеристик прибо­ров использовать структуры с КЯ сложной формы. Так, для созда­ния нового поколения резонансно-туннельных диодов и гетеролазеров с раздельным электронным и оптическим ограниче­нием применяются структуры с прямоугольными КЯ, в центре которых имеется дополнительный провал (рис. 1 .9, а).

Рассмотрим влияние дополнительного провала на энергетиче­ский спектр КЯ с бесконечно высокими стенками (рис. 1.9, б). При анализе учтем, что провал получен изменением материала и, следовательно, в области провала эффективная масса электрона m1 может отличаться от эффективной массы m2 в приле­гающих областях .

Рис. 1.9. Энергетическая диаграмма квантовой ямы с конечны­ми (а) и бесконечными (б) стенками и дополнительным потен­циальным провалом

 

В случае, когда эффективная масса зависит от координаты, од­номерное уравнение Шредингера может быть представлено так:

(1.8.1)

Для областей 1 и 3 уравнение (1.8.1) принимает вид

Аналогично для области 2 ( )имеем

Найдем положение разрешенных энергетических уровней для E>0 (т.е. попадающих в широкую часть КЯ). В этом случае волно­вая функция во всех трех областях может быть представлена в виде

где

Для нахождения коэффициентов Aj и Bj , как обычно, восполь­зуемся условиями, обеспечивающими непрерывность волновой функции (непрерывность плотности частиц) и плотности потока частиц. Тогда при имеем

(1.8.2)

Кроме того, так как стенки КЯ бесконечно высокие, при (1.8.3)

Используя граничные условия (1.8.2) и (1.8.3), получим два уравнения:

(1.8.4)

(1.8.5)

из которых первое определяет разрешенные K (а следовательно, и En) для четных состояний, а второе - для нечетных.

Анализ выражений (1.8.4) и (1.8.5) позволяет выявить влияние провала и различия эффективных масс на положение разрешенных уровней энергии.

Так, для основного (нижнего) четного состояния из (1.8.4) по­лучаем

(1.8.6)

Рис. 1.10. Графическое решение уравнения (1.8.6): 1- ; 2 – 5 - ; 2 – m2=m1, U=0; 3 - m2<m1, U=0; 4 - m2<m1, U≠0; 5 - m2=m1, U≠0

где

(1.8.7)

На рис. 1.10 представлено решение уравнения (1.8.6) графиче­ским методом.

Разрешенные значения K1 при известной ширине КЯ (2l) опре­деляются точками пересечения прямой 1 (соответствующей правой части уравнения (1.8.6)) с зависимостями (кривые 2-5).

Анализ (1.8.6), (1.8.7) и приведенных зависимостей показывает, что для основного четного состояния: 1 - уменьшение эффек­тивной массы m2 сдвигает разрешенный уровень энергии в об­ласть больших энергий; 2 - увеличение ширины d и глубины U провала понижает разрешенный уровень энергии; 3 - резуль­тирующее смещение уровня энергии определяется суперпозици­ей данных эффектов, при этом влияние эффективной массы обычно слабее. Так, при m2→0 аргумент arctg в (1.8.7) стремится к

т.е. влияние т2 на решение уравнения (1.8.6) вообще исчезает, а влияние (d и U остается.

Увеличивая ширину и глубину провала, можно «затянуть» ос­новной четный уровень из широкой части квантовой ямы в провал.

В этом случае кривые не будут пересекать прямую l (рис. 1.10) при , а следовательно, производная функции по переменной в точке станет меньше еди­ницы. Отсюда следует, что условие существования основного чет­ного уровня в широкой части потенциальной ямы имеет вид

(1.8.8)

где

Анализ (1.8.8) показывает, что увеличение d, U, т1 или m2способствует втягиванию основного четного уровня в провал.

Рассмотрим теперь влияние параметров системы на положение первого возбужденного (нечетного) состояния. Как следует из (1.8.5), выражение для определения разрешенных значений K мо­жет быть представлено как

(1.8.9)

где

(1.8.10)

Решение уравнения (1.8.9) графическим методом показано на рис. 1.11.

Рис. 1.11. Графическое решение уравнения (1.8.9): 1- ; 2 – 5 - ; 2 – m2=m1, U=0; 3 - m2<m1, U=0; 4 - m2=m1, U≠0; 5 - m2<m1, U≠0

 

Анализ показывает, что и в этом случае уменьшение т2 уве­личивает разрешенное значение энергии, а рост d и U умень­шает, однако теперь ослабляется роль U.Так, устремляя m2к нулю, видим, что аргумент arctg в (1.8.10) стремится к

т.е. влияние U исчезает.

Различное влияние U и m2на положение основного и первого воз­бужденного состояний связано с различным видом волновых функ­ций, соответствующих этим состояниям. Если для основного состояния в области провала велико значение и мало значение , то для первого возбужденного, наоборот, велико , но мало . Так как средняя энергия в данном состоянии

то оказывается, что в основном состоянии средняя энергия будет более «чувствительна» к наличию и величине провала, а в первом возбужденном состоянии - к значению m2.

В результате оказывается, что можно создать структуру, у которой наличие слоя с меньшей эффективной массой приве­дет к понижению энергии основного и повышению энергии воз­бужденного состояния, т.е. энергетический зазор между этими уровнями станет больше, чем в случае простой квантовой ямы, что, например, используют для увеличения контрастности ВАХ резонансно-туннельных диодов.