Исследование входной характеристики биполярного транзистора

 

Рисунок 2.6 – Схема для исследования входной ВАХ n-p-n-транзистора в схеме с ОБ

 

 

Таблица 2.3 Соответствие тока эмиттера I_Э напряжению база-эмиттер U_БЭ при фиксированном значении напряжения коллектор-база U_КБ

UКБ,В	IЭ, мА
	UБЭ, В		0,719	0,743	0,759	0,771	0,781
	UБЭ, В		0,714	0,738	0,753	0,765	0,774

 

Рисунок 2.7 - Семейство выходных характеристик I_Б=f(U_БЭ) при U_КБ=const.

Рисунок 2.8 – Схема для исследования входной ВАХ для схемы с ОЭ: для транзисторов структуры n-p-n;

Таблица 2.4 Соответствие тока базы I_Б напряжению база-эмиттер U_БЭ при фиксированном значении напряжения коллектор-эмиттер U_КЭ (для n-p-n транзистора)

UКЭ,В	UБЭ, В		0,1	0,3	0,5	0,69	0,9
	IБ, нА	36,061	38,311	44,997		1,389*	14,24*
	IБ, нА	28,216	29,797	33,198	60,308		3,859*
	IБ, нА	26,725	28,135	31,404	56,735		3,861*

 

Рисунок 2.9 - Семейство выходных характеристик I_Б=f(U_БЭ) при U_КЭ=const .

 

Выводы

Были исследованы входная и выходная характеристики биполярных транзисторов, полученных экспериментальным путем.