Построение выходной вольт-амперной характеристики

Цель работы

 

Исследование входной и выходной характеристик биполярных транзисторов, полученных экспериментальным путем.

 

Исследование зависимости тока коллектора от тока базы и напряжения база-эмиттер

Рисунок 2.1 – Схема для анализа зависимости тока коллектора от тока базы для транзисторов n-p-n структуры

 

Iб ( = 0,037 мА

Iк ( = 3,113 мА

U ( = 0,631 В

β = = 73,89

 

 

Построение выходной вольт-амперной характеристики

Рисунок 2.2 – Схема для получения выходной ВАХ n-p-n-транзистора для схемы с ОБ

 

Таблица 2.1 Соответствие тока коллектора I_К напряжению коллектор-база U_КБ при фиксированном значении тока эмиттера

IЭ, мА	UКБ, В		0,2	1,5	2,34	3,17	4,38	5,43	7,1
	Iк, мА		9,949	9,50	9,951	9,952	9,953	9,954	9,955
	Iк, мА		19,865	19,870	19,872	19,874	19,878	19,880	19,884
	Iк, мА		29,751	29,758	29,763	29,767	29,775	29,779	29,788
	Iк, мА		39,607	39,617	39,625	39,633	39,643	39,652	39,666
	Iк, мА		49,428	49,447	49,458	49,470	49,485	49,498	49,519

 

 

Рисунок 2.3 - Семейство выходных характеристик I_К=f(U_КБ) при I_Э=const.

Рисунок 2.4 – Схема для получения выходной ВАХ для схемы с ОЭ: для транзисторов структуры n-p-n;

 

Таблица 2.2 Соответствие тока коллектора I_К напряжению коллектор-эмиттер U_КЭ при фиксированном токе базы (для n-p-n транзистора)

IБ, мА	UКЭ, В		0,2	0,5
	Iк, мА		51,256	67,8	68,391	70,613	72,754	75,0	77,201
	Iк, мА		61,275	100,284	101,01	104,294	107,581	110,744	114,025
	Iк, мА		71,458	146,305	147,735	152,357	157,157	161,958	166,580
	Iк, мА		76,695	194,607	213,909	220,067	227,305	234,500	241,218
	Iк, мА		84,722	217,835	240,512	248,338	255,275	263,702	271,530

 

 

Рисунок 2.5 - Семейство выходных характеристик I_К=f(U_КЭ) при I_Б=const.