Режимы работы транзистора

Биполярного транзистора

Схемы включения

 

1) C общей базой. (α=I_к/I_э≤1)

 

2) С общим эмиттером. (β=I_к/I_б>>1)

3) С общим коллектором.

 

 

1) Активный

I_вых=kI_вх, k – коэффициент передачи по току.

КП – в обратном направлении.

ЭП – в прямом направлении.

Такой режим используется в усилителях и генераторах электрических сигналов.

 

 

2) Режим отсечкиколлекторного тока.

ЭП и КП смещены в обратном направлении. В коллекторной цепи I_k=I_k0 (где I_k0 – тепловой ток коллекторного, обратно смещенного перехода).

R_кэ > 1 МОм.

Такой режим соответствует разомкнутому состоянию электрического ключа и применяется в ключевых схемах на биполярных транзисторах.

 

3) Режим насыщения.

КП и ЭП смещены в прямом направлении, R_кэ - мало.

I_k=I_{коллектора насыщения} = E_{питания}/R_k,

величина тока ограничивается не транзистором, а I_{к насыщения}.

Такой режим соответствует замкнутому состоянию, механического ключа и используется в ключевых схемах на транзисторах.

 

4) Инверсныйрежим.

ЭП смещен в обратном, а КП – в прямом направлении. Здесь входной ток – ток коллектора, а выходной – I_э.

α_I – коэффициент передачи транзистора в инверсном режиме (обычно <<1, поэтому в усилителях не используется).

Противоположный нормальному, в усилительных схемах такой режим не используется, а используется в цифровых, логических схемах. Инверсное включение применяют в схемах двух направленных переключателей: