Зависимость концентрации носителей заряда от температуры

При увеличении концентрации носителей заряда в полупроводниках выше определенного предела она практически перестает зависеть от температуры. Для электронов критическая концентрация имеет порядок 10²⁵ м^-3. Такие полупроводники называются вырожденными.

Зависимость концентрации носителей заряда от температуры при разном содержании примесей показана на рисунке. Увеличением концентрации примесей с низкой подвижностью в данном примесном полупроводнике можно добиться увеличения его удельного сопротивления.

Так, используя глубокий акцептор хром можно получить арсенид галлия с удельным сопротивлением до 10⁶ Ом^.м. Такие полупроводники относятся к высокоомным компенсированным.