Принцип работы БТ.
Рис. 4. Стадии жизненного цикла организации
- На этапе «тусовки» при оценке кандидата ориентируются в основном на мнение руководителя, причем в терминах «нравится» — «не нравится», без особой аргументации.
- На этапе «механики» лучше всего работает аттестация.
В «механике» при оценке персонала целесообразно использовать ABC-анализ.
Оценка персонала в той или иной форме присутствует в организации всегда.
Общие выводы по теме:
1.Должности, занимающиеся оценкой персонала
2. Факторы
3. Цели
4. Критерии
5. Система оценки
6. Комплексная оценка персонала
7. Показатели
8. Показатели оценки труда руководителей
9. Место оценки в СУП
10. Документы
11. Методы
12. Составляющие
13. Оценка персонала на различных этапах жизненного цикла организации
Работу БТ рассмотрим на примере структуры n-р-n, включенной в схеме с общей базой.
К коллекторному переходу приложено обратное напряжение. Пока ток Iэ = 0, в транзисторе протекает ток неосновных носителей заряда через коллекторный переход. Этот ток называют начальным коллекторным. При подключении к эмиттерному переходу прямого напряжения UБЭ в транзисторе возникает эмиттерный ток, равный сумме дырочной и электронной составляющих. Если бы концентрация электронов и дырок в эмиттере и базе была одинаковой, то указанные выше составляющие эмиттерного тока были равны. Но в транзисторе создают эмиттерную n+-область с существенно большей концентрацией электронов по сравнению с концентрацией дырок в базовой области. Это приводит к тому, что число электронов, инжектированных из эмиттера в базу, во много раз превышает число дырок.
Эффективность эмиттера оценивается коэффициентом инжекции γи. Для БТ со структурой n-р-n он равен отношению электронной составляющей эмиттерного тока к общему току эмиттера. У современных транзисторов γн =0,999. Инжектированные через эмиттерный переход электроны проникают вглубь базы, для которой они являются неосновными носителями. В базе происходит частичная рекомбинация электронов с дырками. Однако если база тонкая, то преобладающая часть электронов достигает коллекторного перехода, не успев рекомбинировать. При этом электроны попадают в ускоряющее поле коллекторного перехода. В результате экстракции электроны быстро втягиваются из базы в коллектор и участвуют в создании тока коллектора. Малая часть электронов, которая рекомбинирует в области базы с дырками, создает небольшой ток базы IБ. Ток базы равен разности токов эмиттера и коллектора: IБ = Iэ-Iк. Таким образом, в рассматриваемом режиме (называемом активным) через БТ протекает сквозной ток от эмиттера через базу к коллектору. Незначительная часть эмиттерного тока ответвляется в цепь базы.
Для оценки влияния рекомбинации носителей заряда в базе на свойства БТ в активном режиме используют коэффициент переноса носителей в базе vп. Этот коэффициент показывает, какая часть инжектированных эмиттеров электронов достигает коллекторного перехода. Коэффициент переноса vп тем ближе к единице, чем тоньше база и меньше концентрация дырок в базе по сравнению с концентрацией электронов в эмиттере.
Важнейшим параметром БТ является коэффициент передачи тока эмиттера: αб.т = γиvn. Так как γи и vп меньше единицы, то коэффициент передачи тока эмиттера также не превышает единицы. Обычно αб т = 0,95.. .0,999. В практических случаях коэффициент αбт находят как отношение приращения тока коллектора к приращению тока эмиттера при неизменном напряжении на коллекторном переходе:
αбт = ΔIк/ΔIэ.
Поскольку в цепи коллектора, кроме тока, обусловленного экстракцией электронов из базы в коллектор, протекает обратный ток коллекторного перехода IБО, то полный ток коллектора:
ΔIк = αбт. Iэ + Iкбо
Однако учитывая, что ток Iкбо незначителен, можно считать Iк= αбт. Iэ. Из последнего выражения видно, что БТ является прибором, управляемым током: значение коллекторного тока зависит от входного эмиттерного тока. Если рассматривать БТ как прибор с зависимыми источниками, то он близок по свойствам к источнику тока, управляемому током (ИТУТ). В свою очередь, входным током управляет прямое напряжение. Как видно из потенциальной диаграммы, показанной на рис., с ростом прямого напряжения уменьшается потенциальный барьер эмиттерного перехода. Это сопровождается экспоненциальным ростом тока эмиттера. К коллекторному переходу в активном режиме прикладывается большое запирающее напряжение. Как видно из потенциальной диаграммы, это приводит к значительному увеличению потенциального барьера коллекторного перехода. Вследствие того, что напряжение в цепи коллектора значительно превышает напряжение в цепи эмиттера, а токи в цепях эмиттера и коллектора примерно равны, мощность полезного сигнала на выходе схемы оказывается существенно большей, чем на входе. Это и открывает широкие возможности использования БТ в качестве усилительных приборов.
Наилучшим образом усилительные свойства БТ проявляются при включении в схеме с общим эмиттером, показанной на рис.
Основной особенностью схемы с общим эмиттером является то, что входным током в ней является ток базы, существенно меньший тока эмиттера. Выходным током, как и в схеме с общей базой, является ток коллектора. Следовательно, коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером равен отношению приращений тока коллектора и приращению тока базы. Этот коэффициент принято обозначать βб.т.
Таким образом, в схеме с общим эмиттером нетрудно достигнуть больших значений коэффициента усиления по току. А так как при таком включении можно получить усиление и по напряжению, то достигаемый коэффициент усиления по мощности Нр= НiНu значительно превосходит значения, достигаемые при других способах включения (с общей базой и с общим коллектором) Это и объясняет широкое применение БТ, включенных по схеме с общим эмиттером. Входное сопротивление БТ в схеме с общим эмиттером значительно больше, чем в схеме с общей базой. Представляет интерес определение зависимости выходного тока от входного для схемы с общим эмиттером. Используя приведенное выше выражение для полного тока коллектора, заменим в нем значение тока Iэ на его составляющие IК + IБ.