Структура биполярного транзистора

Биполярные транзисторы

Биполярный транзистор n-p-n-структуры и его условное обозначение показаны на рис 7.1.

Транзистор состоит из трех чередующихся слоев полупроводника различного типа. Первый слой (для n-p-n-транзистора это n-слой) называется эмиттером. Эмиттер отличается тем, что в нем наибольшая концентрация свободных носителей зарядов – в данном случае электронов. Далее следует p-слой, называемый базой. База имеет небольшие размеры и на порядки меньшее количество основных носителей – дырок. Последний слой получил название коллектора. Коллектор имеет наибольшие размеры. Таким образом, биполярный транзистор обладает несимметричной структурой. Это связано с тем, что в усилительном режиме эмиттер является источником зарядов, а коллектор собирает заряды. Поэтому концентрация носителей в эмиттере высока а коллектор как выходной контакт имеет наибольшие размеры для обеспечения большой мощности выходного сигнала. База используется для управления потоком носителей через транзистор. Переход между эмиттером и базой называется эмиттерным переходом, а между коллектором и базой – коллекторным переходом.

Рис. 7.1 Биполярный транзистор n-p-n-структуры

В зависимости от приложенных к контактам транзистора напряжений различают четыре режима работы биполярного транзистора: активный, насыщения, отсечки, инверсный.