Базовые техпроцессы изготовления полупроводниковых ИС
Структуры кристаллов полупроводниковых ИС. Основные конструктивные элементы. Принципы интегральной технологии
Технологические основы производства полупроводниковых интегральных схем (ИС)
Кристалл ИС – часть полупроводниковой пластины, в объеме и на поверхности которой сформированы элементы полупроводниковой схемы, межэлементные соединения и контактные площадки.
Структура ИС – определенное расположение по глубине кристалла локальных областей, отличающихся толщиной, электропроводимостью и характером распределения примесей.
Топология ИС – определяет геометрические размеры отдельных областей и элементов и их взаимное расположение, а также рисунок межэлементных соединений.
Схемная реализация большинства электронных устройств основана на применении активных (биполярных и МОП-транзисторов) и пассивных (резисторы, конденсаторы) элементов. В задачу изготовления полупроводниковых кристаллов входит формирование вышеуказанных элементов, создание соединений между ними и контактных площадок.
Особенностью изготовления полупроводниковых ИС является интегральное групповой метод производства. Суть метода заключается в интеграции различных и однотипных элементов на едином технологическом носителе (полупроводниковой пластине) и в интеграции технологических процессов при групповых методах их проведения.
Основные принципы:
- Технологическая совместимость элементов и ИС, диодов, резисторов, конденсаторов с наиболее сложным элементом – транзистором. Технологический процесс изготовления ИС строится с учетом получения структуры транзистора.
- Принцип групповой обработки пластин-заготовок, который должен охватывать как можно большее число операций. За счет этого увеличивается воспроизводимость характеристик ИС и значительно уменьшает трудоемкость изготовления отдельной ИС.
- Принцип универсальности процесса обработки: к различным по функции ИС применяется, идентичные по сути процессы с одинаковыми технологическими режимами.
- Принцип унификации пластин заготовок, содержащих максимальное число признаков микросхем. Процесс производства ИС состоит из заготовительного этапа, на котором получают универсальную пластину-заготовку, и этапа избирательной обработки. Экономически целесообразно первый этап расширять, соответственно сужая второй.
- Принцип высокой чистоты всех процессов, используемых при производстве (использование сверхчистых материалов, применение операций очистки, повышенная чистота процесса сборки).