B. Динамическая память (DRAM)

A. Статическая память (SRAM)

В ней элементарная ячейка представляется не конденсаторами, а статическими триггерами на биполярных или МДП - транзисторах. Число состояний триггера равно двум, что позволяет использовать его для хранения двоичной единицы информации. Получив заряд один раз, ячейка такой памяти способна хранить его сколь угодно долго, по крайней мере до тех пор, пока будет питание. Естественно, что в данном случае исчезают непроизводительные задержки на обновление информации, что приводит к ускорению работы с такими микросхемами. Однако SRAM стоит существенно дороже, чем DRAM. В результате, сфера применения микросхем SRAM ограничена теми областями, для которых требуется небольшой объем памяти, а значительное быстродействие.

Идеальный вариант - кэш - память, где SRAM применялась и применяется поныне. Перед пользователем обычно не встаёт проблема выбора кэш - памяти: в современных материнских платах для Pentium кэш - память обычно просто распаяна на плате. Более того, кэш - память первого уровня давно встраивается в центральный процессор, а в последнее время эта участь постигла и кэш II-го уровня в процессорах линии PentiumII. В ближайшее время то же самое произойдёт и с процессорами для Socket 7 ( стандартный Pentium - разъем): например, ожидаемый вскоре процессор AMD К6 - 3 будет содержать кэш второго уровня. В отличии от PentiumII он поддерживает кэш третьего уровня (на материнской плате).

Однако по большому счёту память современных компьютеров на базе процессора Pentium собирается из таких же чипов, которые использовались в древнем IBMPCAT. Между тем, рост быстродействия центральных процессоров в последнее время привёл к тому, что стало просто невозможно мириться с отсталостью технологий ОЗУ. Поэтому в настоящее время в этом направлении происходят бурные революционные изменения.

 

В настоящее время широкое распространение получили устройства динамической памяти базирующиеся на способности сохранять электрический заряд. Микросхемы динамических ОЗУ отличаются от микросхем статических ОЗУ большей информационной ёмкостью, что обусловлено меньшим числом компонентов в одном элементе памяти и, следовательно, более плотным их размещением в полупроводниковом кристалле.

Глядя на аббревиатуры, относящиеся к оперативной памяти, несложно заметить, что все они состоят из сочетания DRAM: FPMDRAM, EDO DRAM, SDRAM и т.д. RAM (RandomAccessMemory) переводится с английского как «Запоминающее устройство с произвольным доступом» -

А буква D - сокращение от слова Dynamic, т. е. динамический. Память называется динамической, так как ячейка стандартного ОЗУ представляет собой конденсатор, сформированный внутри полупроводникового кристалла, хранящий электрический заряд. Как известно, конденсаторы могут самопроизвольно разряжаться, что приводит к потере информации. Чтобы этого не происходило, информацию нужно постоянно обновлять. Из-за непрерывной природы этого процесса такая память называется динамической.

В современных персональных компьютерах динамическая память реализуется на базе специальных цепей проводников, заменивших обычные конденсаторы. Большое количество таких цепей объединяются в корпусе одного динамического чипа. Однако подобно памяти на конденсаторах, она должна постоянно освежаться.

Так работают практически все типы микросхем оперативной памяти - от устаревших FPMDRAM до перспективных RambusDRAM. Все остальные отличия между ними - уже технологические «довески», позволяющие выжать из обычных микросхем дополнительное быстродействие.