Схемы включения транзисторов

Режим отсечки

Режим насыщения

Прямое напряжение подается на оба перехода транзистора и его сопротивление уменьшается почти до нуля. При этом транзистор эквивалентен замкнутому контакту реле.

На оба перехода подаются обратные напряжения, транзистор закрыт и обладает высоким сопротивлением, т.е. он эквивалентен разомкнутому контакту реле.

Режимы насыщения и отсечки используются в импульсных и коммутационных схемах.

При включении транзистора в электрическую цепь один из его электродов является входным (включается источник входного переменного сигнала), другой - выходным (включается нагрузка), третий электрод - общий относительно входа и выхода.

В зависимости от того, какой электрод является общим, различают три схемы включения:

- с общим эмиттером ОЭ

- с общей базой ОБ

- с общим коллектором ОК

В большин­стве случаев используется схема с общим эмиттером.

Как уже говорилось, отличительной особенностью транзистора является способность усиливать напряжение и ток. Данная особенность характеризуется коэффициентами усиления по напряжению и току. Коэффициент усиления – это отношение значения выходной величины к значению входной:

 

 

 

 

Рисунок 18 – Схемы включения транзистора

 

 

Таблица 2 - Основные параметры транзисторов при трех схемах включения

Параметры	Схема включения
ОЭ	ОБ	ОК
Rвх	150÷1,5 кОм	20÷120 Ом	10÷500 кОм
Rвых	10÷100 кОм	1÷1,5 МОм	10÷100 Ом
Кu	50-2000	30-300	<1
Ki	10÷250	<1	10÷250
Kp	103÷2,5·105	30÷300	10÷250