Модель решетки чистого полупроводника

Беспереходные полупроводниковые приборы

Основные свойства полупроводников.

Раздел 2 Полупроводниковые приборы

Стремительное развитие и расширение областей применения электронных устройств обусловлено совершенствованием элементной базы, основу которой составляют полупроводниковые приборы. Поэтому, для понимания процессов функционирования электронных устройств необходимо знание устройства и принципа действия основных типов полупроводниковых приборов.

Полупроводниковые материалы по своему удельному сопротивлению (ρ=10^-6 ÷ 10¹⁰ Ом·м) занимают промежуточное место между проводниками и диэлектриками.

Основными материалами для производства полупроводниковых приборов являются кремний (Si), карбид кремния (SiС), соединения галлия и индия.

Электропроводность полупроводников зависит от наличия примесей и внешних энергетических воздействий (температуры, излучения, давления и т.д.). Протекание тока обуславливают два типа носителей заряда – электроны и дырки.

В зависимости от химического состава различают чистые и примесные полупроводники.

Для изготовления электронных приборов используют твердые полупроводники, имеющие кристаллическое строение. Полупроводникам свойственна ковалентная связь – каждый атом валентностью 4+ связан с четырьмя соседними электронной парой.

В полупроводнике одновременно идут два противоположных процесса: термогенерация (образование двух видов свободных носителей заряда – электронов n и дырок p) и рекомбинация (пара носителей исчезает). При этом концентрация электронов равна концентрации дырок (собственная проводимость).