Барьерные емкости

Диффузионные емкости

Емкости транзистора

 

 

Изменения эмиттерного и коллекторного напряжений вызывают изменение заряда диффундирующих по базе носителей. А из электричества известно, что изменение заряда при изменении напряжения – это емкость. В транзисторе различают две диффузионных емкости – коллекторного и эмиттерного переходов. Однако эти емкости на практике не используются. Емкость эмиттерного перехода из-за того, что учитывают зависимость коэффициента переноса от частоты, а диффузионную емкость коллекторного перехода из-за ее малости.

 

 

 

В транзисторе p-n-переходы рассматриваются как плоские конденсаторы. Так как ширина перехода зависит от напряжения, то емкости транзистора тоже зависят от напряжения. При прямом смещении перехода емкость уменьшается (эмиттерный переход), при обратном увеличивается (коллекторный переход).

Емкость эмиттерного перехода вместе с дифференциальным сопротивлением перехода образует -цепочку с постоянной времени , влияющую на коэффициент инжекции. Однако влияние коэффициента инжекции на частотные свойства коэффициента передачи транзистора пренебрежимо мало по сравнению с влиянием коэффициента переноса. Поэтому емкость эмиттерного перехода на практике не учитывается.

Емкость коллекторного перехода с учетом смещения перехода определяется известной из теории диодов формулой:

 

, .

Совместно с дифференциальным сопротивлением коллектора она составляет -цепочку с постоянной времени , влияющую на частотные и переходные свойства транзистора.