Переходы между однотипными полупроводниками

Специальные типы переходов

 

 

К переходам такого типа относятся переходы между слоями с одинаковым типом проводимости, но с разной концентрацией примеси. Для различия концентраций применяют обозначения и . Обычно разница концентраций не превышает двух порядков. Рассмотрим работу на примере контакта .

В результате "контакта" начнется диффузия дырок из слоя в слой . Диффузия будет происходить из очень тонкой области, прилегающей к границе раздела. В слое образуется обедненный слой ОС (переход), а в слое произойдет обогащение дырками приграничной области. Кроме малой ширины, переход будет иметь и малую высоту потенциального барьера:. При , мВ при комнатной температуре.

Если к переходу приложить внешнее напряжение, то оно все будет падать на самой высокоомной части системы, т.е. на слое. Ширина перехода практически меняться не будет. Вторая особенность – отсутствие инжекции носителей через переход. Действительно, для нашего случая переходит в , а т.к. приложено не к переходу, то , а .

В итоге мы видим, что у однотипных переходов вентильные свойства практически отсутствуют.