Входные характеристики

Схема с общим эмиттером

Входные характеристики

I_э=j(U_эб) при U_кб=const

 

Входные характеристики имеют экспоненциальный вид, так как на эмиттерный переход подано прямое напряжение. Его значение не превышает 0,3...0,5В для Ge, и 0,6...0,8В для Si.

 

 

Источники U_кэ и U_бэ обеспечивают нормальный активный режим работы транзистора. Оба источника имеют одинаковую полярность. Напряжение |U_бэ| < |U_кэ|, чтобы коллекторный переход был смещён обратно. Из уравнения

,

подставив уравнение Кирхгофа I_э = I_к + I_б , получим:

.

Обозначим - коэффициент передачи тока базы;

; - дифференциальное сопротивление коллекторной цепи в схеме с ОЭ.

Получим

I_к=bI_б +(b+1)I_кб0 +U_кэ/r^*_к.диф.

Второе слагаемое (b+1)I_кб0 =I_кэ0 - это “сквозной” ток коллектора в схеме с ОЭ. Он больше, чем в схеме с ОБ. Значение r^*_к.диф , напротив, в (b+1) раз меньше, чем r_к.диф, т.е. влияние напряжения на коллекторе на величину тока коллектора значительно сильнее.

Значение b = 20...300 .

 

При U_кэ=0 область на­сыщения. Если U_кэ > U_бэ, – нормальная активная область и ток базы практически не зависит от U_кэ.