Полевой транзистор с p-n-переходом.

Униполярные (полевые транзисторы)

С – сток;

И – исток;

З – затвор.

 

Принцип действия полевого транзистора с p-n-переходом основан на изменении сечения канала и тем самым его сопротивления от запирающего напряжения на p-n-переходе. Канал выполняется из полупроводника с высоким удельным сопротивлением за счёт малой концентрации примеси. Затвор – наоборот – с высокой концентрацией примеси в полупроводнике.

При подаче запирающего напряжения на затвор p-n-переход углубляется в область канала и тем самым увеличивает его сопротивление, следовательно ток от истока к стоку снижается.

За счёт увеличения разности потенциалов между затвором и стоком происходит искривление формы p-n-перехода к области стока.

В силу большой площади затвора ёмкость между затвором и каналом достигает ~ 10-20 пФ и эта ёмкость на высоких частотах оказывает шунтирующее действие на входной сигнал, поэтому полевой транзистор является низкочастотным (НЧ) транзистором.