Изготовление полупроводниковых приборов и интегральных схем

При изготовлении полупроводниковых приборов микросхем проводятся следующие операции: получение резицивных сплавов, мелкодисперсных порошков германия и др.; легирование, ориентация монокристаллических слитков, резка слитков на пластины; шифровка пластин, диффузия, фотолитография, разделение пластин на кристаллы, сборка и испытание и др. операции. Для получения мелкодисперсных порошков на дробильно-размольном оборудовании и возникает вибрация, шум, запыленность, а также опасность от движущихся частей машин и электрооборудования. Для виброактивности оборудования оно устанавливается на виброизолирующие торы, покрывается вибродемпфирующими материалами. Для снижения шума оборудование заключается в звукоизолирующие кожухи, что попутно позволяет обеспечить эффективное обеспыливание процесса разлома путем оборудования кожухов приточно-вытяжной вентиляцией.

Получение резицивных сплавов на основе кремния и хрома производят в индукционных печах, поэтому соблюдаются требования безопасности при работе с ЭМП.

При легировании германия мышьяком в печи зонной плавки воздушная среда загрязняется мышьяковистым водородом, а при легировании германия сурьмой - мышьянистым водородом, которые являются токсичными, поэтому необходимо применение интенсивной вытяжной вентиля­ции.

Во время ручной очистки внутренней поверхности от осаждающихся германия или кремния и их соединений может возникать большая запыленность воздуха рабочей зоны. Во избежание профзаболеваний печи зонной плавки герметизируются, оборудуются приточно-вытяжной вентиляцией, а рабочие снабжаются СИЗ (респиратором, перчатками и др.).

Проверка ориентации монокристаллических слитков германия и кремния выполняется методами рентгенографии, основанном на отраже­нии и дифракции рентгеновских лучей, опасных для рабочих. Здесь приме­нился методы защиты ионизирующего излучения, основанное на экранировании оборудования и рабочих мест.

При резке слитков и шлифовке пластин могут возникать механиче­ские травмы, запыленность вредными отходами воздуха рабочей зоны. Для создания безопасных и безвредных условий резка слитков произво­дится на станках типа "Алмаз", оборудованных защитными кожухами с окнами из оргстекла.

Разделение пластин на кристаллы производится алмазными дисками на специальных установках. Опасные условия и вредные факторы те же что и при резке полупроводниковых слитков на пластины.

Многие операции, например, фотолитография, сборка, визуальный контроль, измерения требуют значительного напряжения зрения и являют­ся монотонными, что приводит к быстрому утомлению. Поэтому обеспечи­ваются параметры микроклимата по ГОСТ 12.1.005-76 ССБТ, нормируе­мые СНиП 11-4-79 значения, освещенности эргономические требования к организации рабочего места, а также к режиму труда и отдыха.

Контроль полупроводниковых приборов и микросхем на электриче­ские параметры ( измерение обратного тока, прямого падения напряжения, (ёмкости, вольтамперной характеристики ,b, коэффициента усиления и др.) производится на специальных установках ("Интеграл", "Волна" и др.), основным опасным фактором которых является применение повышенного напряжения и излучения ЭМП. При этом соблюдаются требования элек- робезопасности, установки помещаются в экранированные боксы, а сами работающие используют СИЗ.

При проведении климатических испытаний предусматриваются пра­вила ТБ. которые изложены в разделе "Испытания изделий и радиоэлектронного оборудования" (ниже).

При испытании водяным давлением выполняются требования правил Госгортехнадзора для сосудов, находящихся под давлением.