Бескорпусная герметизация

Герметизация микросхем и микросборок

Защиту МС и микросборок от механических повреждений и воздейст­вия окружающей среды обеспечивают использованием различных методов герметизации. Различают корпусную (с использованием полых или моно­литных конструкций) и бескорпусную герметизацию.

Большинство полупроводниковых приборов и ИС, используемых в бытовой и электронно-вычислительной аппаратуре, выполняют в пластмас­совых корпусах. По сравнению с другими методами процесс герметизации пластмассами характеризуется высокой производительностью, относитель­но низкой стоимостью и простотой.

Для герметизации МС используют различные полимеры с добавками, влияющими на пластичность, текучесть, цвет, скорость отвердения пласт­масс. Текучесть характеризуется временем, в течение которого герметизи­рующий состав находится в вязком состоянии при заданной температуре окружающей среды. Скоростью отвердения называют скорость перехода пластмасс в состояние полной полимеризации.

В зависимости от поведения при нагревании пластмассы делят на термопласты и реактопласты. Термопласты сохраняют свои свойства при многократном нагреве. Реактопласты под воздействием повышенной темпе­ратуры переходят в необратимое состояние. В качестве герметизирующих материалов используют компаунды (механические смеси из электроизоля­ционных материалов, не содержащие растворителей) и пресс-порошки на основе эпоксидных, кремнийорганических, полиэфирных смол.

Эпоксидные смолы характеризуются плотностью у = 2,5...3 г/см³, тер­мостойкостью Т = 150...230 °С, коэффициентом диэлектрической прони­цаемости 8 = 4... 5 и тангенсом угла диэлектрических потерь tg 6 = 0,01.

Кремнийоргантеские смаяы характеризуются плотностью у = 1... 5 г/см³, термостойкостью 7= -60...+300 °С, коэффициентом диэлектрической про­ницаемости е = 2,8...3,6 и тангенсом угла диэлектрических потерь tg 8 = = 0,003—0,005.

Полиэфирные смолы характеризуются плотностью у = 0,7...0,8 г/см³, термостойкостью Т= 150 °С, коэффициентом диэлектрической проницаемости 6 = 2,8.. .5,2 и тангенсом угла диэлектрических потерь tg 8 = 0,005.

Герметизация методом обволакивания. При герметизации обвола­киванием вокруг МС создается тонкая пленка полимерного материала. Для обеспечения механической прочности и герметичности полупроводниковых приборов и МС наносят несколько слоев герметизирующего состава с пред­варительным подсушиванием каждого слоя.

Метод герметизации обволакиванием характеризуется устойчивостью защищаемых приборов к воздействию влажной атмосферы, простотой про­цесса, малым расходом герметизирующего материала, возможностью при­менения групповых методов обработки.

Технологический процесс обволакивания состоит из следующих ос­новных операций:

закрепление арматуры (выводов) и полупроводниковой структуры в приспособлении;

силанирование (нанесение гидрофобного защитного покрытия на ос­нове кремнийорганических полимеров);

нанесение защитного закрепляющего состава;

нанесение и полимеризация герметизирующего состава;

контроль качества герметизирующего покрытия.

Способ нанесения герметизирующего состава зависит от габаритных размеров защищаемого изделия. На дискретные полупроводниковые приборы

герметизирующий состав наносят в виде капли (рис, 7.39). Полупро­водниковые ИС, гибриднопленоч-ные схемы и микросборки гермети­зируют окунанием или нанесением компаундов распылением.

Рис. 7.39. Герметизация полупроводнико­вых структур методом обволакивания: / — полупроводниковая структура; 2 — вывод; 3 — силановая пленка; 4 — защитный закреп­ляющий слой компаунда; 5 — герметизирую­щий слой компаунда

К недостаткам метода обво­лакивания МС относятся трудность нанесения; равномерного по тол­щине покрытая, длительность про­цесса сушки на воздухе, необходи­мость последующего отвердения при повышенной температуре, сложность механизации процесса.

Герметизация микросхем методом свободной заливки. Сущность метода герметизации МС методом свободной заливки состоит в заполнении жидким герметизирующим компаундом специальных форм или заранее из­готовленных из пластмассы или металла корпусов, в которых размещают МС с выводами. Свободная заливка компаунда без давления уменьшает ве­роятность обрыва проволочных перемычек МС.

Применяют два метода свободной заливки: во вспомогательные разъ­емные формы и предварительно изготовленные корпуса.

Герметизацию микросхем заливкой во спомогателъные разъемные формы относят к бескорпусной, так как такая герметизация не требует спе­циально изготовленных деталей корпусов. Однако она обеспечивает произ­водство МС со строго фиксированными габаритными размерами, размерами выводов, шага между выводами и т. д. Поэтому в литературе принято назы­вать такой метод заливки МС герметизацией в пластмассовые корпуса, ко­торые иногда называют полимерными или металлополимерными.

В зависимости от конструкции прибора или МС применяют два спо­соба заливки во вспомогательные формы — с предварительным подогревом и без подогрева разъемных форм. При герметизации по первому способу многоместные разъемные формы, изготовленные из материалов с плохой адгезией по отношению к пластмассе, заполняют жидким компаундом с по­мощью дозатора. Собранные на ленте полупроводниковые структуры по-

Рис. 7.40. Герметизация микросхем методом свободной заливки в формы без подогрева:

а — монтаж полупроводниковой структуры на перфорированную ленту; б — герметизация групповым методом; в — удаление второй технологической перемычки; г — общий вид за­герметизированного прибора; 1 — перфорированная лента с кристаллами; 2 — первая техно­логическая перемычка; 3 — полупроводниковая структура; 4 — полости формы, заполнен­ные компаундом; 5 — вторая технологическая перемычка

гружают в заполненные компаундом полости формы, после чего проводят полимеризацию компаунда (рис. 7.40, б). После полимеризации приборы извлекают из формы и с помощью специальных штампов отделяют друг от друга (рис. 7.40, в иг).

При герметизации по второму способу собранные на ленте полупро­водниковые структуры помещают в рабочие гнезда нижней матрицы мно­гоместной заливочной формы и плотно прижимают верхней матрицей. В верхней части формы предусмотрены специальные отверстия, а между гнез­дами внутри формы — система каналов для подачи герметизирующего ком­паунда. Нагретую форму заполняют компаундом. Нагрев формы необходим для повышения текучести компаунда. После предварительного отвердения компаунда заливочные формы охлаждают и извлекают ленты с загермети­зированными приборами. Приборы на металлических лентах проходят тер­мообработку до полной полимеризации. После полимеризации снимают об-лой и ленту разделяют на отдельные фрагменты, удаляя вторую технологи­ческую перемычку. Полученные изделия представляют собой готовые загерметизированные приборы.

При герметизации заливкой в предварительно изготовленные корпуса полупроводниковые структуры сначала закрепляют на перфорированную ленту, состоящую из объединенных между собой фрагментов плоских вы­водов. Контакт между плоскими выводами перфорированной ленты и кон­тактными площадками полупроводниковой структуры создают проволоч­ными перемычками (рис. 7.40, а).

Герметизация МС заливкой в предварительно изготовленные корпу­са отличается простотой, так как в этом случае не требуется изготовление дорогостоящих заливочных форм. Корпуса представляют собой пластмас-

совую оболочку, изготовлен­ную горячим прессованием, или металлическую капсулу, изготовленную штамповкой. Они имеют разнообразную геометрическую форму и ти­поразмеры.

Рис. 7.41.Герметизация микросхем методом заливки в корпуса: 1 — плата с навесными компонентами; 2 — выводы; 3 — корпус; 4 — заливочный компаунд

Заливку в корпуса-обо­лочки осуществляют в основ­ном теми же герметизирую­щими составами, что и залив­ку в формы. После полимери­зации герметизирующего ком­паунда эти корпуса остаются частью МС (рис. 7.41).

При компрессионном прессовании собранную с арматурой полупро­водниковую структуру и порошкообразный или таблетированный материал загружают непосредственно в пресс-форму (рис. 7.42). Под действием тепла и давления герметизирующий материал переходит в пластичное состояние и заполняет формующую полость. После окончания выдержки спрессованные изделия извлекают из пресс-формы (рис. 7.42, в). При литьевом (трансферном) прессовании загрузочная камера пресс-формы отделена от формующей полости. Кассету или перфорированную ленту с несколькими смонтированными полупроводниковыми структурами помещают в формующие полости пресс-формы. Пресс-форму нагревают до температуры плавления пластмассы нагревателями, вмонтированными не­посредственно в пресс-форму. Расплавившаяся пластмасса под давлением опускающегося пуансона (трансфера) заполняет формующие полости пресс-формы. После частичной полимеризации кассету или перфорированную

Рис.7.42. Герметизация микросхем ме­тодом компрессионного прессования:

а — арматура с полупроводниковой структурой; б — загрузка арматуры с полупроводниковой структурой и пресс-порошка; в — загерметизированный при­бор; 1 — выводы; 2 — полупроводнико­вая структура; 3 — пресс-форма; 4 — пресс-порошок

Герметизацию полупроводнико­вых структур методом свободной за­ливки применяют в мелкосерийном производстве изделий со сложной ар­матурой.

Герметизация прессованием. Герметизация МС методом прессова­ния пластмасс основана на особенно­сти некоторых полимерных материа­лов плавиться и течь под действием температуры и давления, заполняя по­лость металлической формы с изде­лиями. В этом случае используют по­лимеры в виде пресс-порошков и таб­леток, которые не изменяют своих свойств в течение длительного време­ни, что исключает операцию приготов­ления герметизирующих компаундов. В качестве герметизирующих материа­лов применяют термореактивные по­лиры, прессующиеся при низких дав­лениях, что позволяет герметизировать МС с гибким проволочным монтажом.

В микроэлектронике используют в основном два способа герметизации МС прессованием: компрессионное и литьевое (трансферное).

ленту с полупроводниковыми структура­ми извлекают из пресс-формы и оконча­тельно полимеризуют. Загерметизиро­ванные полупроводниковые структуры извлекают из кассеты и отделяют друг от друга.

К недостаткам метода свободной заливки в формы относятся сравнительно невысокая производительность и необхо­димость проводить приготовление зали­вочных смесей в небольших количествах, так как со временем очень быстро изме­няется их вязкость.

Шовноклеевая герметизация.При шовноклеевой герметизации используют пластмассовые корпуса с армированными выводами (рис. 7.43). Клеющий состав наносят по периметру основания корпуса после установки на него кристалла МС. На основание корпуса устанавливают пластмассовую крышку. Сборку фикси­руют в приспособлении и сушат на воз­духе или в термошкафу. Достоинствами шовноклеевой герметизации являются высокая технологичность процесса и низ­кая стоимость изделий.

Рис.7.43. Шовноклеевая гермети­зация микросхем:

I — крышка; 2 — подложка с микро­схемой; 3 — место склеивания; 4 — основание корпуса; 5 — армирован­ный вывод