Диффузионные конденсаторы

Пленочные резисторы

Основой пленочного резистора является резистивная пленка из металла (хром, тантал, палладий) металлического сплава (нихром) или металлокерамики. Резистивную пленку наносят на диэлектрическую подложку гибридной интегральной микросхемы или на окисленный кристалл полупроводниковой интегральной микросхемы рис.15.

При создании пленочных резисторов на диэлектрической подложке не образуется паразитных элементов, которые получаются в интегральных микросхемах с диффузионными резисторами.

В качестве конденсаторов интегральных микросхем часто используют барьерную емкость p-n-перехода, смещенного в обратном направлении. Такой пассивный элемент интегральной микросхемы удобно формировать одновременно с формированием транзисторных структур или использовать непосредственно p-n-переходы транзисторных структур рис.16. Барьерная емкость p-n-перехода может быть использована для создания конденсатора постоянной или переменой емкости, которой можно управлять путем изменения постоянного смещения на переходе.

Диффузионный конденсатор необходимо изолировать от других элементов и от подложки микросхемы. Часто эта изоляция осуществляется p-n-переходом. Поэтому при формировании диффузионного конденсатора одновременно формируется и структура паразитного транзистора, эмиттером которого является одна из областей (обкладок) диффузионного конденсатора, базой – другая область (обкладка), а коллектором - подложка (рис.16).