ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА

МИКРОСХЕМЫ ПАМЯТИ.

 

Компактная микроэлектронная память находит широкое при­менение в самых различных по назначению электронных устрой­ствах.

Понятие «память» связывается с ЭВМ и определяется как ее функциональная часть, предназначенная для записи, хранения и выдачи данных. Комплекс технических средств, реализующий функ­цию памяти, называется запоминающим устройством (ЗУ). Полупро­водниковая микросхема памяти в общем случае представляет собой и функционально, и конструктивно часть ЗУ, поскольку, как будет показано далее, для построения ЗУ требуется набор микросхем памяти.

Микросхема памяти содержит выполненные в одном полупро­водниковом кристалле матрицу-накопитель, представляющую собой совокупность элементов памяти (ЭП), и функциональные узлы, не­обходимые для управления матрицей-накопителем, усиления сигна­лов при записи и считывании, обеспечения режима синхронизации. Функции ЭП обычно выполняют или триггер (в статических ЗУ), или электрический конденсатор (в динамических ЗУ). Элемент памя­ти может хранить один разряд числа, т. е. один бит информации. Элементы памяти расположены на пересечениях т строк и nстолб­цов матрицы (рис. 5.8), так что их общее число равно произведе­нию тп. Для обращения к нужному ЭП (выборки ЭП) сигналами единичного уровня возбуждаются адресные шины строки и столбца, на пересечении которых находится данный ЭП. На всех остальных адресных шинах должны быть сигналы нулевого уровня. Такая система адресации информации (выборки ЭП) при обращении к на­копителю получила название двухкоординатной.

 

Рис. 5.8. Струк­турная схема мик­росхемы памяти К155РУ1