Сегнетоэлектрики

Условия на границе раздела двух диэлектриков

 

Найдем соотношение между значениями напряженности электрического поля и электрического смещения вблизи границы раздела двух диэлектриков с диэлектрическими проницаемостями ε1 и ε2. Выберем произвольную точку границы раздела А, построим в этой точке вектор нормали к поверхности и перпендикулярный ему тангенциальный (направленный по касательной) вектор (рис. 1.11). Построим вокруг точки А прямоугольный замкнутый контур, две стороны которого параллельны границе раздела и равны dl, а две другие перпендикулярны и равны h. Из условия потенциальности электростатического поля (1.8) следует, что циркуляция вектора напряжённости электростатического поля по этому замкнутому контуру равна нулю:

.

Если устремить величину h к нулю, то к нулю будут стремиться и значения линейного интеграла вдоль этих сторон контура, тогда

.

Отсюда следует условие:

, (1.53)

т.е. касательная к поверхности раздела двух сред составляющая напряженности электрического поля не изменяется при переходе через эту поверхность.

Из формулы (1.50) следует, что

, (1.54)

т.е. касательная к поверхности раздела составляющая вектора электрического смещения на этой поверхности претерпевает разрыв.

Теперь построим вокруг точки А цилиндрическую поверхность с параллельными поверхности раздела основаниями площадью dS и высотой h (рис. 1.12). Образующие цилиндра перпендикулярны поверхности раздела.

Из формулы (1.52) при отсутствии на границе раздела сторонних зарядов следует равенство нулю потока вектора электрического смещения через построенную поверхность:

.

Если устремить величину h к нулю, то к нулю будут стремиться и значения поверхностного интеграла по боковой поверхности цилиндра, тогда

.

Отсюда следует условие:

, (1.55)

т.е. перпендикулярная к поверхности раздела двух сред составляющая вектора электрического смещения не изменяется при переходе через эту поверхность.

Из формулы (1.50) следует, что

, (1.56)

т.е. перпендикулярная к поверхности раздела составляющая напряженности электрического поля на этой поверхности претерпевает разрыв.

 

Сегнетоэлектриками называется группа кристаллических диэлектриков, обладающих в определенном интервале температур самопроизвольной (спонтанной) поляризацией, которая сильно изменяется под влиянием внешних воздействий – электрического поля, деформации, изменения температуры.

Примерами сегнетоэлектриков могут служить сегнетова соль, титанат бария. Сегнетоэлектрики иногда называют ферроэлектриками, так как их электрические свойства подобны магнитным свойствам ферромагнетиков.

В отсутствие внешнего электрического поля весь объем сегнетоэлектрика самопроизвольно разбит на небольшие области, которые поляризованы до насыщения и называются доменами. Возможные направления электрических моментов доменов определяются симметрией кристалла. Поляризация сегнетоэлектрического образца во внешнем электрическом поле состоит, во-первых, в смешении границ доменов и росте размеров тех доменов, векторы электрических моментов которых близки по направлению к напряженности поля, и, во-вторых, в повороте электрических моментов доменов по полю. В достаточно сильном поле достигается состояние насыщения, когда весь образец однородно поляризован по полю и его поляризованность не изменяется при дальнейшем увеличении . Для сегнетоэлектриков характерно явление диэлектрического гистерезиса (запаздывания), состоящее в различии значений поляризованности сегнетоэлектрического образца при одной и той же напряженности электрического поля в зависимости от значения предварительной поляризованности этого образца (рис. 1.13).

С увеличением напряженности поля поляризованность первоначально неполяризованного образца возрастает от Р=0 при Е=0 (точка 0) до поляризованности насыщения Р=Рн при Е=Ен (точка 1). Если после этого уменьшить напряженность поля до нуля, поляризованность уменьшится до значения РR, которое называется остаточной поляризованностью (точка 2). Поляризация образца исчезает полностью лишь под действием электрического поля противоположного направления, величина которого ЕС называется коэрцитивной силой (точка 3).

Дальнейшее увеличение напряженности поля противоположного направления приводит снова к поляризованности до насыщения (точка 4). Уменьшая обратное поле до нуля и увеличивая напряженность поля первоначального направления до значения Ен, мы через точки 5 и 6 возвращаем образец в состояние 1. Таким образом, полный график зависимости Р от Е образует замкнутую кривую, которая называется петлей гистерезиса.

Диэлектрическая восприимчивость χ и относительная диэлектрическая проницаемость ε сегнетоэлектрика зависят не только от химической природы вещества, но также от температуры, напряженности электрического поля и предварительной поляризации. Максимальные значения χ и ε, соответствующие этой зависимости, достигают у сегнетоэлектриков очень больших значений (порядка 103 и больше).

У каждого сегнетоэлектрика есть такая температура ТС, называемая точкой Кюри (температурой Кюри), выше которой это вещество теряет свои особые электрические свойства и ведет себя как обычный полярный диэлектрик. Например, у титаната бария ТС=406 К. Сегнетова соль обладает сегнетоэлектрическими свойствами только в интервале температур между нижней точкой Кюри =255 К (—18°С) и верхней точкой Кюри =297 К (24°С). В точке Кюри происходит фазовое превращение вещества. Оно переходит из спонтанно поляризованной фазы в неполяризованную, либо наоборот.

2 Электрический ток