Низкочастотные шумы.

Дробовые шумы.

Являются преобладающими для большинства полупроводниковых приборов. Основным источником дробовых шумов является сам p-n переход. При прохождении носителей заряда под потенциальным барьером p-n перехода возникают флуктуации дрейфовой и диффузионной составляющих p-n перехода вследствие хаотического теплового движения носителей заряда. Это явление аналогично флуктуации тока эмиссии электронов и раскаленного катода.

Отличаются характерным спектральным распределением пропорционально отношению , где n в большинстве практических случаев численно близка к единице. В реальных полупроводниковых приборах происхождение низкочастотных шумов определяется процессами на границе раздела окисел-полупроводник, окисел-проводник. Среднеквадратичное напряжение низкочастотного шума:

приближенное равенство из-за невозможности определения сопротивления поверхности, т. к. оно определяется загрязнением поверхности.