P-n переход и его свойства

Полупроводниковые приборы

Электроника

ЛИТЕРАТУРА

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Изучение курса «Электроника» позволит студенту знать:

1. Основы полупроводниковой электроники.

2. Назначение, состав и принцип действия основных полупроводниковых элементов и устройств автоматики.

3. Методики разработки полупроводниковых устройств автоматики.

 

А также уметь:

1. Обоснованно разрабатывать как элементы, так и электронную составляющую аппаратного обеспечения систем автоматического управления в целом.

2. Выполнять расчеты электрических принципиальных схем, узлов и систем автоматики.

3. Пользоваться справочными материалами, государственными стандартами и техническими условиями предприятий.

 

 

1. О.В. Миловзоров, П.Г. Панков Электроника. М.: Высш. шк., 2004.

2. А.С. Серябряков Электротехника и электроника. Лаб. практикум. М.: Высш. шк., 2009.

3. В.Д. Резивич Применение программ P-CAD и Pspise для схемотехнического моделирования на ПЭВМ. М.: Радио и связь, 1992.

4. ГОСТ 28884-90 (МЭК 63-63) Ряды предпочтительных значений для резисторов и конденсаторов.

 

 

Действие полупроводниковых приборов основано на использовании свойств полупроводников. Они занимают промежуточное место между проводниками и диэлектриками. Относятся к элементам IV группы периодической системы элементов Д.И. Менделеева, которые во внешней оболочке имеет четыре валентных электрона (германий, кремний).

Для снижения высокого удельного сопротивления чистых полупроводников в них вводят примеси – легируют. В качестве легирующих примесей применяют элементы III и V группы периодической системы элементов Д.И. Менделеева.

Элементы III группы имеют три валентных электрона, поэтому при образовании валентных связей одна оказывается только с одним электроном. Такие полупроводники обладаю дырочной электропроводностью их называют полупроводниками р – типа, а примесь – акцепторная.

 
 

 


Элементы V группы имеют пять валентных электронов, поэтому при образовании валентных связей одинэлектрон оказывается лишним . Такие полупроводники обладают электронной электропроводностью, так| как в них основными носителями заряда являются электроны. Они называются полупроводниками п-типа, а примесь, благодаря которой в полупроводнике оказался избыток электронов, называется донорной.

При соприкосновении полупроводников в пограничном слое происходит рекомбинация (воссоединение) электронов и дырок. Сводные электроны из зоны полупроводника n-типа занимают свободные уровни в валентной зоне joHe полупроводника р-типа. В результате вблизи границы двух полупроводников образуется слой, лишенный подвижных носителей заряда и поэтому обладающий высоким удельным сопротивлением,- так называемый запирающий слой.

Если к p-n-переходу приложить внешнее напряжение Uобр которое создает в запирающем слое электрическое поле напряженностью Евн совпадающее по направлению с полем неподвижных ионов напряженностью Езап ., то это приведет к расширению запирающего слоя, так как носители заряда уйдут от контактной зоны. При этом сопротивление p-n-перехода велико, ток через него мал, так как обусловлен Iобр, а p-n-переход – закрытым.

       
   
 
 

 


Противоположной полярности источника напряжения внешнее поле направлено навстречу полю двойного электрического слоя, толщина запирающего слоя уменьшается. Сопротивление p-n-перехода резко снижается и возникает сравнительно большой ток. В этом случае ток называют прямым Iпр, а p-n-переход – открытым.

В p-n-переходах могут возникать пробои – лавинный, электрический, тепловой и туннельный.

Для электрического пробоя характерна обратимость, заключающая в том, что первоначальные свойства p-n-перехода восстанавливаются, если снизить напряжение на

p-n-переходе. Благодаря этому электрический пробой используют в качестве рабочего режима в полупроводниках.