Виды диэлектрических потерь

Потери на электропроводность – обусловлены сквозными токами. Преобладают над другими потерями в диэлектриках с высокой объемной или поверхностной электропроводностью.

(!) Единственный вид потерь в однородном неполярном диэлектрике. Наблюдаются во всех диэлектриках.

P = U2/R

tgδ = 1/(ωCрR) (в этом случае используется || схема замещения).

Мощность (Р) от ω не зависит.

tgδ = tgδ0 e aT

Ионные кристаллы:

tgδ = (1.8×1010× γ0/ε×f)exp(-Wa /kT)с от Т практически не зависит).

 

tgδм » r ω Cs r, Cs - сопротивление обкладок и емкость последовательной схемы замещения конденсатора

↑w →потери в проводящих частях (электродах) конденсатора (Pа = U 2ωCs2 r)

 

Релаксационные потери – обусловлены абсорбционными токами, т.е. замедленными поляризациями.

При дипольно-релаксационной поляризации (см. рис. выше):

f время релаксации> (1/2f) диполям не хватает времени для ориентацииtgδ↓. Рапри ↑f до тех пор, пока диполи успевают ориентироваться по полю, после этого Раот f не зависит.

температуры молекулярные силы ослабляются(диполи легче ориентируются по полю)поляризация может усилиться (tgδ↑),но при этомэнергия теплового движения молекулориентирующее влияние поля(tgδ↓).

полярные полимеры

Для некоторых полярных полимеров может наблюдаться несколько максимумов в зависимости tgδ(Т). При температуре выше температуры стеклования Тc у полимеров возможна ориентация крупных блоков макромолекул-сегментов (дипольно-сегментальная поляризация). Дипольно-сегментальная поляризация приводит к появлению высокотемпературного максимума (α). Этот вид поляризации может не наблюдаться у полимеров с очень жесткими макромолекулами. Характерная зависимость tgδ от температуры для полимерного диэлектрика с дипольно-групповыми (β, γ, δ) и дипольно-сегментальными потерями (α) показана на рисунке выше.

Релаксационные потери в стеклах (за счет ионно-релаксационной поляризации) отличаются широким набором времен релаксаций сглаживание (размытие)максимумов в зависимостяхtgδ(Т) и tgδ(f). Сглаженные максимумы могут маскироваться потерями на электропроводность и не проявляться в явном виде.При f > 107-108 Гцпотери монотоннов большинстве стекол, ситаллов и керамик.

Ионизационные потери - возникают за счет ионизации молекул газа в основном в неоднородных электрических полях, при Е поля > Е ионизации.

Раи = А1*f(U-Uион)3 – приблизительная формула для мощности потерь.

Uионнапряжение, соответствующее началу ионизации, А1 -const.

Формула справедлива при U > Uион и линейной зависимости tgδ(Е).

Давление газа ↑ →длина свободного пробега электронов ↓ →вероятность актов ионизаций молекул ↓→Uион ↑.

¬ Кривая ионизации после В весь газ ионизирован →энергия на ионизацию не затрачивается →tgδ ↓

(!)tgδ(U)↑ →это признак газовых включений в материале.

В области ВЧ ионизация и потери в газах настолько, что это может привести к разогреву и разрушению изделий с газовой изоляцией при U > Uион.

Ионизация воздухав порах изоляционного материала часто приводит к образованию озона и окислов азота возможнохимическое разрушение (разложение) материала.

Потери за счет неоднородности диэлектрика – обусловлены миграционной поляризацией. Наблюдаются в диэлектриках с проводящими или газовыми включениями, слоистых материалах (гетинакс, текстолит).

Это дополнительные релаксационные потери.

Резонансные потери - наблюдаются в некоторых газах при строго определенной частоте и выражаются в интенсивном поглощении энергии электромагнитного поля. Резонансные потери возможны и в твердых телах, если частота вынужденных колебаний, вызываемая электрическим полем, совпадает с частотой собственных колебаний частиц твердого вещества. Наличие максимума в зависимости tgδ(f) характерно и для резонансного механизма потерь, однако при изменении температуры максимум не смещается.