Wа -суммарная энергия диссоциации и перемещения ионов.
Электропроводность твердых диэлектриков
Электропроводность жидких диэлектриков
Неполярные и слабополярные жидкости: носители заряда в основном ионы, возникающие при диссоциации молекул примеси.
Степень диссоциации – это отношение числа дисоциированных молекул к общему числу молекул жидкости.
↑e → ↑ степень диссоциации, которая также зависит от концентрации примеси.
жидкость | Особенности строения | rv | e |
Бензол Трансформаторное масло бензин | Неполярная | 1011-1012 | 2.2 |
1010-1013 | 2.2 2.0 | ||
Совол Касторовое масло | Полярная | 108-1010 | 4.5 4.6 |
Ацетон Этиловый спирт Дистиллированная вода | Сильнополярная | 104-105 | |
103-104 |
Диссоциация молекул жидкости с ионным характером связи → собственная электропроводность.
Электронная электропроводность может наблюдаться в сильных полях при эмиссии электронов с катода в очищенных от примесей жидкостях.
Очистка жидкостей от примесей → rv ↑. Очистка м.б. за счет длительного пропускания тока через диэлектрик (перенос свободных ионов к электродам).
Молионная электропроводность – характерна для масел с включениями влаги (воды) и для лаков с мелкодисперсными наполнителями.
e частицы > e основ.вещества → знак заряда частицы +
e частицы < e основ.вещества → знак заряда частицы −
Эти заряженные частицы – молионы.
↑Т → ↓rv = В*exp (W/kT) также из-за ↓ вязкости жидкости(↑ подвижности ионов)W – энергия диссоциации
Сильные поля → закон Ома нарушается из-за диссоциации собственных молекул жидкости, ↑ подвижности ионов (↓вязкости) или эмиссии электронов с катода в очищенных жидкостях.
В большинстве случаев ток в твердых диэлектриках обусловлен движением ионов (освобождаемых под влиянием флуктуаций теплового движения), реже – движением электронов или дырок (в титаносодержащей керамике).
При низких температурах перемещаются слабозакрепленные ионы, в частности ионы примесей (примесная электропроводность). При высоких температурах передвигаются некоторые ионы кристаллической решетки.
В диэлектриках с атомной или молекулярной решеткой электропроводность весьма мала и только примесная.
γ(T) = q*μ(T)*N(T) μ = v/E [м2/(В*с)] – подвижность заряда.
N(T) – концентрация носителей заряда [м-3].
Для большинства ионных диэлектриков: γ(T) = γ0*exp (-Wа/kT)
1- примесная электропроводность (Wа1) 2- собственная электропроводность Wа2 |
γ(T) = γ01*exp (-Wа1/kT) +γ02*exp (-Wа2/kT)
Излом кривойlgγ(1/T) м.б. также из-за различных энергий диссоциации основного вещества.
В кристаллах с ионной решеткой:
γ кристаллов с одновалентными ионами > γ крист. с многовалентными ионами
(NaCl) (MgO, Al2O3)
В кристаллах проводимость не одинакова по разным осям: γ кварца в направлении || главной оси в 1000 раз > γперпендикулярно этой оси.
Пористые диэлектрики (мрамор, дерево, фибра): влажная среда → ↓rv на несколько порядков. Высушивание (прогрев) → rv↑.
Электронная электропроводность не сопровождается переносом вещества. Ионная – сопровождается → так можно экспериментально определить вид электропроводности.
↑ приложенное U (слабые поля): → γ↑из-за образования объемных зарядов, ионизация газовых включений, плохой контакт м/у диэлектриком и проводником.
Сильные поля : 10-100 МВ/м:
γ = γ0 exp(β1 • E) Формула Пуля
в некоторых случаях (при Е близкой к пробивной)
γ = γ0 exp(β2 • Ö E ) Формула Френкеля