ВВЕДЕНИЕ

От температуры, степени концентрации примеси 73

Уровень Ферми в ПП. Зависимость уровня Ферми

Вырожденные и невырожденные ПП.

Зонная модель полупроводников (ПП).

Полупроводниковых материалах 73

ТЕМА 5 Физические основы процессов в

Газообразных диэлектриках 27

ТЕМА 2 Физические эффекты в твердых и

ТЕМА 1 Основы теории твердого тела 6

Введение 5

СОДЕРЖАНИЕ

ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОНИКИ

 

 

1.1 Строение твердых тел 6

1.2 Энергетические уровни и зоны 11

1.3 Собственная проводимость полупроводников 13

1.4 Глубокие уровни 18

1.5 Примесные полупроводники 20

1.6 Оптические и электрические свойства

полупроводников 22

1.7 Жидко кристальные приборы для

отображения информации 23

1.8 Твист-эффект 26

2.1 Поляризация, электропроводимость,

диэлектрические потери, проницаемость 27

2.2 Электропроводность диэлектриков,

диэлектрические потери, диэлектрическая

проницаемость, электрическая прочность,

виды пробоя в диэлектриках 29

2.3 Сегнетодиэлектрики 32

2.4 Пьезоэлектрики 33

2.5 Активные диэлектрики 35

2.6 Электропроводимость газообразных диэлектриков 37

2.7 Электролюминесценция, катодолюминесценция 40

ТЕМА 3 Физические эффекты в проводниках 43

3.1 Классификация проводников 43

3.2 Полукристаллические и аморфные металлы и сплавы.

Особенности металлов в тонкопленочном состоянии 45

3.3 Особенности металлов в тонкопленочном состоянии 54

3.4 Сверхпроводящие проводники. Статический эффект

Джозефсона. Применение сверхпроводимости 58

3.5 Контактная разность потенциалов, термо - эдс, эффекты 60

ТЕМА 4 Физические эффекты в магнитных материалах 64

4.1 Магнитная структура доменов в кристаллах.

Процесс намагничивания. Магнитный гистерезис,

магнитная анизотропия 64

4.2 Зависимость параметров от температуры.

Свойства магнитных материалов в СВЧ полях 70

5.2 Понятие об электронно-дырочном переходе

типы переходов, токи в p-n переходе 81

5.3 Прямо смещенный p-n переход 84

5.4 Вольт амперные характеристики и p-n модель 86

5.5 Эффект поля 99

Литература 107

 

Значительные изменения во многих областях науки и техники обусловлены развитием электроники. Тенденция развития такова, что доля электронных информационных устройств и устройств автоматики непрерывно увеличивается, благодаря развитию интегральной технологии, внедрение которой позволило наладить массовый выпуск высококачественных, дешевых, нетребующих специальной настройки и наладки микроэлектронных функциональных узлов различного назначения. На основе БИС и СБИС созданы и выпускаются микропроцессоры и микропроцессорные комплекты, представляющие собой вычислительную машину.

Развитие электроники характеризуется несколькими этапами. Ранее большое развитие получила аналоговая аппаратура. Но аналоговая аппаратура не могла обеспечить высокую точность сигнала, быстродействие, малую зависимость параметров от метрологических условий. В настоящее время применяется цифровая система обработки сигнала, что позволило применять ЭВМ, повысить точность обработки сигнала, универсальность использования, повысить быстродействие и надежность.

Эффективное применение ИМС невозможна без знания принципов их действия и основных параметров. Основу ИМС составляют элементарные схемы, физические процессы и особенности работы их можно пояснить на моделях собранных с помощью дискретных элементов.

Поэтому в конспекте лекций уделяется основное внимание пояснению физических процессов в различных дискретных элементах.

Конспект лекций составлен в соответствии с требованиями государственного образовательного стандарта высшего профессионального образования по дисциплине «Физические основы электроники» для специальностей дневной формы обучения. При составлении конспекта использовался материал разнообразной технической литературы, так как нет одного учебника, который содержал бы необходимую информацию по всем разделам учебной программы. Это несколько облегчит труд студента и поможет сосредоточить внимание на изучении дисциплины.