Исследование характеристик полупроводниковых лазеров

СОДЕРЖАНИЕ

1. Введение

2. Полупроводниковые лазеры на гетеропереходах

3. Полупроводниковый гетеропереход

4. Анизотипный гетеропереход

5. Энергетическая зонная диаграмма анизотипного гетероперехода

6. Квазиуровни Ферми в анизотипных гетеропереходах

7. Излучательная рекомбинация в p-N-гетеропереходе

8. Условие вынужденного излучения в p-N-гетеропереходе, условие БКП

9. Условие для усиления света в активной области

10. Двусторонний гетеропереход

11. Условие возникновения генерации в гетеролазерах.

Цель работы: Исследовать характеристики полупроводниковых лазеров.

 

Объект исследования: Полупроводниковые лазеры на гетеропереходах.

Задачи, решаемые в работе:

1. Экспериментальное измерение зависимости коэффициента поляризации лазерного диода от тока накачки I_н .

2. Изучить зависимость степени когерентности излучения ЛД от тока накачки по анализу распределения интенсивности в поперечном сечении волоконных световодов, возбуждаемых ЛД.

3. Экспериментально измерить ватт-амперные характеристики лазерного диода.

4. Экспериментально определить ток накачки, соответствующего началу генерации оптического излучения и порогового тока лазерного диода.