В каких схемах применяется диодный мост в источниках питания?

a) двухполупериодный;

b) однополупериодный;

c) однотактный;

d) двухтактный;

e) реверсивный;

$$$Для стабилизации выходного тока в источниках питания, какой элемент используется?

a) бареттер;

b) тиристор;

c) конденсатор;

d) диод;

e) динистор;

$$$Какие элементы или устройства используются для стабилизации выходного напряжения в слаботочных цепях?

a) параметрический стабилизатор;

b) компенсационный стабилизатор;

c) импульсный стабилизатор;

d) феррорезонансный стабилизатор;

e) частотные стабилизаторы;

$$$Какое устройство относится к электронному реле с контактным выходом?

a) транзисторный ключ, на выходе которого включена катушка электромагнитного реле;

b) двухкаскадный транзисторный усилитель с эмиттерной ОС;

c) двухкаскадный транзисторный усилитель с коллекторной ОС;

d) триггер;

e) мультивибратор;

$$$Какой из логических элементов выполняет функцию дизьюнкция?

a) ИЛИ;

b) И;

c) НЕ;

d) И-НЕ;

e) ИЛИ-НЕ;

$$$Какой элемент выполняет логическую функцию коньюкция?

a) И;

b) ИЛИ;

c) НЕ;

d) И-НЕ;

e) ИЛИ-НЕ;

$$$Какой элемент является стрелкой Пирса?

a) НЕ;

b) ИЛИ;

c) И;

d) И-НЕ;

e) ИЛИ-НЕ;

$$$Какой логический элемент с пассивным выходом?

a) диодный;

b) транзисторный;

c) транзисторно-диодный;

d) ЛЭ на магнитных элементах;

e) диодно-транзисторный;

$$$Какую логическую функцию выполняет тран-зисторный ключ включенный по схеме с общим эмиттером?

a) НЕ;

b) ИЛИ;

c) И;

d) И-НЕ;

e) ИЛИ-НЕ;

$$$В каких сериях логических интегральных микросхемах применяют многоэмиттерный транзистор?

a) ТТЛ;

b) МДП;

c) МНОП;

d) МДП;

e) КМДП;

$$$На базе элементарных логических элементов можно построить более сложные логические устройства, такие как триггер, счетчик и др;?

a) да;

b) нет;

c) возможно;

d) в некоторых случаях;

e) только в отдельных случаях;

$$$Какой сигнал вырабатывается на выходе логического элемента в зависимости от определенных сочетаний сигналов на входе?

a) непрерывный;

b) аналоговый;

c) дискретный;

d) постоянный;

e) переменный;

$$$Какой элемент относится к фотоэлектрическому приемнику излучения?

a) Фоторезистор;

b) Светодиод;

c) Фототранзистор;

d) Счетчик;

e) Переменный резистор;

$$$В системе h-параметров статическому коэффициенту усиления транзистора по току соответствует:

_a) h₂₁

_b) h_21б

_c) h_11Э

_d) h_11б

_e) h_22Э

$$$Наименьшим выходным сопротивлением обладает схема включения транзистора с:

a) ОК

b) ОБ

c) ОИ

d) ОЭ

e) ОС

$$$Полупроводниковый стабилитрон имеет структуру:

a) p-n

b) p-n-p

c) n-p-n

d) p-n-p-n

e) p-i-n

$$$Коэффициент усиления по напряжению каскада с ОЭ

a) K_U>>1

b) K_U=0

c) K_U=1

d) K_U<1

e) K_U<0

$$$Основная характеристика резистора:

a) сопротивление R

b) индуктивность L

c) емкость С

d) Индукция В

e) ЭДС Е

$$$p-n переход образуется при контакте:

a) полупроводник- полупроводник

b) металл-металл

c) металл-полупроводник

d) металл-диэлектрик

e) полупроводник-диэлектрик

$$$Полупроводниковый диод имеет структуру:

a) p-n

b) n-p-n

c) p-n-p

d) p-n-p-n

e) n-p-n-p

$$$Электроды полупроводникового диода имеют название:

a) Катод, анод

b) База, эмиттер

c) Катод, управляющий электрод

d) База1, база2

e) Сетка, анод

$$$Электроды полупроводникового транзистора имеют название:

a) коллектор, база, эмиттер

b) анод, катод, управляющий электрод

c) сток, исток, затвор

d) анод, сетка, катод

e) База1, база2, эмиттер

$$$Какие системы параметров используют для биполярных транзисторов:

a) h, Y, Z

b) A, B, C

c) X, Y, Z

d)

e)

$$$В какой из схем включения биполярного транзистора достигается наибольшее входное сопротивление

a) ОК

b) ОЭ

c) ОБ

d) ОИ

e) ОС

$$$Коэффициент усиления по напряжению эмиттерного повторителя

a) К_U>1

b) К_U<1

c) К_U=0

d) К_U=

e) К_U=1

$$$Логические переменные могут принимать значения:

a) 0 и 1

b) Действительные

c) любые

d) положительные

e) целые

$$$Основные характеристики дросселя:

a) индуктивность L

b) сопротивление R

c) емкость С

d) частота f

e) мощность P

$$$Соотношение между основными параметрами полевого транзистора имеет вид:

_a) =SR_i

_b) I_k= I_б

_c) I_k= I_Э

d) R=U/I

_e) I_б=(1- ) I_Э

$$$Полупроводниковый диод применяется в устройствах электроники для цепей:

a) выпрямление переменного напряжения;

b) усиление напряжения;

c) стабилизации напряжения;

d) регулирования напряжения;

e) защиты от перенапряжений;

$$$Тиристор используется в цепях переменного тока для …

a) регулирования выпрямленного напряжения;

b) усиления напряжения;

c) усиления тока;

d) изменения фазы напряжения;

e) защиты от перенапряжений;

$$$Логические интегральные микросхемы используют для построения

a) цифровых устройств

b) усилителей напряжений

c) выпрямителей

d) генераторов

e) стабилизаторов

$$$Коэффициент усиления полевого транзистора определяется выражением:

_a) m= d U_CU/ d U_ЗU

_b) m= d U_ЗU / d U_СU

_c) m= d U_СU / d i_C

_d) m= d U_ЗU / d i_C

_e) m= d U_СU/ d i_З

$$$Коэффициент усиления по току транзистора в схеме ОЭ:

a)

b)

c)

d)

e)

$$$Cтатический коэффициент передачи тока базы биполярного транзистора:

a)

b)

c)

d)

e)

$$$Наибольшее усиление по мощности на биполярном транзисторе дает схема:

a) ОЭ

b) ОИ

c) ОК

d) ОС

e) ОБ

$$$Oсновная характеристика конденсатора:

a) Емкость С

b) Индуктивность L

c) Сопротивление R

d) ЭДС E

e) Мощность Р

$$$Входной ток операционного усилителя определяется при

a) I_вх=0

b) I_вх= I_вых

c) I_вх<0

d) I_вх= I_вых

e) I_вх>0

$$$Коэффициент усиления полевого транзистора определяется выражением:

_a) m= d U_CU/ d U_ЗU

_b) m= d U_ЗU / d U_СU

_c) m= d U_СU / d i_C

_d) m= d U_ЗU / d i_C

e) m= d U_СU/ d i_З

$$$Cтатический коэффициент передачи тока базы биполярного транзистора:

a)

b)

c)

d)

e)

$$$Hаибольшее усиление по мощности на биполярном транзисторе дает схема:

a) ОЭ

b) ОИ

c) ОК

d) ОС

e) ОБ

$$$Напряжение между входами операционного усилителя

a) равно 0

b) равно U_пит

c) больше 0

d) Равно U_о;с;

e) меньше 0

$$$Отрицательная обратная связь в усилителе:

a) Снижает искажения

b) Поворачивает усилив; сигнал по фазе на 30 °

c) Повышает К;П;Д;

d) Повышает коэффициент усиления

e) Поворачивает сигнал по фазе на 90 °

$$$Отрицательная обратная связь в усилителе:

a) Все ответы неверные

b) снижает кпд

c) все ответы верны

d) снижает частотные свойства

e) уменьшается потребляемая от источника энергия

$$$Усилители низкой частоты усиливают сигнал:

a) в диапазоне частот от 20 до 20 кГц

b) в диапазоне частот от 20 до 20000 Гц

c) все ответы верны

d) от детектора

e) от микрофона

$$$Обозначение на конденсаторе 1000 рГ означает величину емкости в:

a) 0, 001 мкф

b) 0,1 мкф

c) 0,01 мкф

d) 1,0 мкф

e) 0, 00001 фарады

$$$Для полупроводников р-типа характерен

return false">ссылка скрыта

a) Полупроводник с избытком концентрации дырок

b) Кристалл обладающий избытком концентрации электронов

c) Рекомбинированный переход

d) Кристаллическая решетка с избытком электронов

e) Полупроводник с зоной проводимостью

$$$К полупроводникам п—типа относятся:

a) кристаллическая решетка с избыткам электронов

b) кристалл обладающий избытком концентрации электронов

c) рекомбинированный переход

d) полупроводник с зоной проводимостью

e) полупроводник с избытком концентрации дырок

$$$Как включается полупроводниковый р-п переход в прямом направлении:

a) Положительный полюс источника соединяют с выводом от р-области, а отрицательный - с выводом от п-области

b) Полярность внешнего источника питания изменяют на противоположную

c) Положительный полюс питания соединяют с выводом от п-области, а отрицательный - с р—областью

d) Изменить структуру кристаллической решетки полупроводника

e) Изменить полярность внутреннего источника питания

$$$Как включается полупроводниковый р-п переход в обратном направлении:

a) положительный полюс питания соединить с выводом от п-области, а отрицательный с р-областью

b) полярность внешнего источника питания изменить на противоположную

c) положительный понос источника соединить с выводом от р-области, а отрицательный - с выводом от п-области

d) изменить структуру кристаллической решетки полупроводника

e) изменить полярность внутреннего источника питания

$$$Какое свойство диода является основным:

a) Ни один из ответов не правилен

b) пропускание тока в обратном направлении

c) преобразование постоянного тока в пульсирующий

d) не пропускание постоянного тока

e) пропускание тока в прямом направлении

$$$Недостатком полупроводникового диода является:

a) Малый обратного тока

b) Резкое увеличения прямого тока

c) Зависимость выпрямленного тока от напряжения

d) Отсутствие в характеристике плавно изменяющейся кривизны

e) Наличие большого прямого тока

$$$Основными параметрами выпрямительных полупроводниковых диодов являются;;

a) максимально допустимое обратное напряжение и прямой ток

b) максимальная температура перехода

c) площадь радиатора и рабочая температура

d) способность работать в мостиковой схеме

e) возможность использования в цепи двухполупериодного выпрямителя

$$$Стабилитронами и стабисторами называются полупроводниковыми диодами, вольтамперные характеристики которых имеет:

a) малую зависимость от температуры

b) участки малой зависимости от протекающего тока

c) большую зависимость о температуры

d) участки большой зависимости от протекающего тока

e) обратную зависимость от протекающего тока

$$$В каком режиме работы транзисторного усилителя наилучшее сохранение КПД?

a) Режим А

b) Режим Д

c) Режим С

d) Во всех режимах

e) В режиме А и Д

$$$Рекомбинация носителей заряда это:

A) исчезновение пар носителей заряда (электрона и дырки)

B) возникновение пар носителей заряда

C) собственная электропроводность

D) примесная электропроводность

E) появление электронной проводимости

$$$Представленная схема на рисунке необходима для:

A) выпрямления высоких напряжений

B) выпрямление низких напряжений

C) уменьшения тока

D) увеличения тока

E) стабилизации тока

$$$Возникновение пар носителей заряда называют:

A) тепловой генерацией

B) рекомбинацией

C) дрейфом носителей

D) диффузией

E) электропроводностью

$$$Примеси, атомы которых отдают электроны называются:

A) донорами

B) электронной примесью

C) акцепторами

D) дырочной примесью

E) полупроводниками р-типа

$$$Примеси, атомы которых отбирают электроны называются:

A) акцепторами

B) электронной примесью

C) донорами

D) дырочной примесью

E) полупроводниками р-типа

$$$На рисунке дано условное обозначение:

A) варистора

B) терморезистора

C) реостата

D) фоторезистора

E) тензорезистора

$$$На рисунке дано условное обозначение:

A) терморезистора

B) варистора

C) реостата

D) фоторезистора

E) тензорезистора

$$$Полупроводники с преобладанием дырочной электропроводности называются:

A) полупроводниками р-типа

B) полупроводниками n-типа

C) полупроводниками р-n типа

D) полупроводниками n-р типа

E) полупроводниками р-n-р типа

$$$Укажите схему, где коэффициент усиления по току всегда немного меньше единицы:

A) схема с ОБ

B) схема с ОК

C) схема с ОЭ

D) каноническая схема

E) конструктивная схема

$$$Электропреобразовательный полупроводниковый прибор с одним р-n- переходом и двумя внешними выводами от областей кристалла с различными типами электропроводности, называется:

A) полупроводниковым диодом

B) транзистором

C) фототранзистором

D) динистором

E) тринистором

$$$Область в полевом транзисторе, через которую проходит поток основных носителей заряда, т.е. выходной ток, называется:

A) каналом

B) истоком

C) стоком

D) коллектором

E) затвором

$$$Биполярным называют транзистор:

A) с двумя n – p переходами

B) с тремя n- р переходами

C) с одним переходом

D) с управляющим электродом

E) канальный транзистор

$$$Электрод, к которому проходят основные носители заряда из канала, называют:

A) стоком

B) каналом

C) истоком

D) коллектором

E) затвором

$$$Полупроводниковый прибор с управляющим n-р переходом, называется:

A) полевым транзистором

B) тиристором

C) диодом

D) стабилитроном

E) триодом

$$$Полевые транзисторы также называют:

A) униполярными

B) биполярными

C) вырожденными

D) детекторными

E) параметрическими

$$$На рис. изображена схема:

A) неинвертирующего операционного усилителя

B) инвертирующего операционного усилителя

C) интегрирующего операционного усилителя

D) дифференцирующего операционного усилителя

E) сумматора на ОУ

$$$Преобразователь электрической энергии в световую, называется:

A) оптоизлучателем

B) оптопарой

C) фотоприемником

D) световодом

E) фотоизлучателем

$$$Преобразователь световой энергии в электрическую, называется:

A) фотоприемником

B) оптоизлучателем

C) фотоизлучателем

D) световодом

E) оптопарой

$$$Полупроводниковый прибор, в котором конструктивно объединены источник и приемник излучения, имеющие между собой оптическую связь, называется:

A) оптопарой

B) оптоизлучателем

C) фотоизлучателем

D) световодом

E) индикатором

$$$График зависимости между током и напряжением называется:

A) ВАХ прибора

B) ФЧХ прибора

С) АЧХ прибора

D) импульсной характеристикой

E) температурной характеристикой

Область полупроводникового прибора, разделяющая р-n переходы, называется:

A) базой

B) эмиттером

C) коллектором

D) n-переходом

E) р-переходом

Электронно-дырочный переход это:

A) p-n-переход

B) р-р-переход

C) n-n-переход

D) р-р-р-переход

E) n-n-n-переход

Движение носителей заряда под действием электрического поля называется:

A) дрейфом

B) диффузией

C) генерацией

D) рекомбинацией

E) электропроводностью

Движение носителей заряда под действием разности концентраций называется:

A) диффузией

B) дрейфом

C) генерацией

D) рекомбинацией

E) электропроводностью

На рисунке дано условное обозначение:

 

A) фоторезистора

B) варистора

C) тензорезистора

D) терморезистора

E) реостата

Область полупроводникового прибора, из которой инжектируются носители заряда, называется:

A) эмиттером

B) базой

C) коллектором

D) n-переходом

E) р-переходом

Область полупроводникового прибора, которая вытягивает носителей заряда, называется:

A) коллектором

B) базой

C) эмиттером

D) n-переходом

E) р-переходом

Электрод, из которого вытекают основные носители заряда, называют:

A) истоком

B) каналом

C) стоком

D) коллектором

E) затвором

Управляющий электрод, предназначенный для регулирования площади поперечного сечения канала, называют:

A) затвором

B) каналом

C) истоком

D) коллектором

E) истоком

При повышении температуры в полупроводниковых приборах проводимость:

A) растет

B) уменьшается

C) остается постоянной

D) сначала уменьшается, затем повышается

E) сначала увеличивается, затем уменьшается

Плоскостные диоды, работающие при обратном напряжении, от которого зависит барьерная емкость, называются:

A) варикапами

B) стабилитронами

C) конденсаторами

D) импульсными диодами

E) фотодиодами

Последовательное соединение диодов необходимо для:

A) выпрямления высоких напряжений

B) выпрямления низких напряжений

C) для уменьшения тока

D) для увеличения тока

E) для стабилизации тока

Параллельное соединение диодов применяют:

A) когда необходимо получить прямой ток, больший предельного тока одного диода

B) для выпрямления высоких напряжений

C) для выпрямления низких напряжений

D) для уменьшения тока

E) для стабилизации тока

На рисунке представлена энергетическая диаграмма:

A) металла

B) диэлектрика

C) полупроводника

D) транзистора

E) диода

На рисунке представлена энергетическая диаграмма:

A) диэлектрика

B) металла

C) полупроводника

D) транзистора

E) диода

На рисунке представлена энергетическая диаграмма:

Запрещенная зона

A) полупроводника

B) металла

C) диэлектрика

D) транзистора

E) диода

На рисунке показан:

 

A) электронно-дырочный переход при отсутствии внешнего напряжения

B) переход контакта металла с полупроводником n-типа

C) электронно-дырочный переход при прямом напряжении

D) переход не обладающий выпрямляющими свойствами

E) переход контакта металла с полупроводником р-типа

На рисунке представлен:

A) биполярный транзистор с n-р-n переходом

B) транзистор с р-n-р переходом

C) полевой транзистор с каналом р-типа

D) полевой транзистор с каналом n-типа

E) туннельный диод

На рисунке дано условное обозначение:

A) полевого транзистора с n-р переходам и каналом n-типа

B) биполярный транзистор

C) фоторезистор

D) транзистор с индуцированным каналом n-типа

E) тиристор