Стирание ячейки

Туннелирование Фаулера-Нордхейма — это переход электронов в плавающий затвор при смещении потенциального барьера электрическим полем. Поле возникает при приложении разницы потенциалов между управляющим затвором (–) и истоком (+) (рис.2.6).

.

Рис.2.6.Стирание ячейки туннелированием электронов через изолирующий слой.

В результате в области истока образуется «канал», по которому происходит стекание заряда с плавающего затвора за счет туннельного перехода через потенциальный барьер (рис. 2.7).

Рис.2.7. Схема энергетического барьера интерфейса Si/SiO₂ в подзатворной области истока ячейки Flash-памяти.

Толщина изолирующего слоя SiO₂ — порядка 100