СЕРИИ МИКРОСХЕМ ДЛЯ ТЕЛЕВИЗИОННОЙ АППАРАТУРЫ

Рис. 2.6. Широкополос­ный усилитель на мик­росхеме К175УВЗ

Рис. 2.5. Преобразовательная (а) и модуляторная (б) микросхемы серии 235

А — усилитель-ограничитель; б — частотный детектор с ограничителем; в — детектор AM сигналов и АРУ с усилителем постоянного тока; г — коммутатор ВЧ цепей 3X1; д — коммутатор с трансформаторным входом; в — формирова­тель импульсов с регулируемым порогом; ж — управляемый делитель напря­жения; з — преобразователь частоты с трансформаторным выходом; и — ба­лансный смеситель; к. — кольцевой балансный модулятор

Рис. 2.3. Микросхемы серии 235

А — резонансный усилитель ВЧ; б — апериодический усилитель ПЧ; в — уси­литель ПЧ с пьезокерамическим фильтром на входе; г — резонансный усили­тель ПЧ с АРУ; д — дифференциальный усилитель; е — микрофонный усили­тель; ж — регулируемый резонансный усилитель ПЧ с эмиттерным повторите­лем на выходе; з — частотный детектор; и — резонансный усилитель ОЭ — ОБ; к — кварцевый гетеродин с удвоителем частоты; л — апериодический усили­тель ОЭ — ОБ; м — преобразователь частоты с собственным кварцевым гете­родином

Рис. 2.1. Усилительные микросхемы серии 235

Микросхему 219УВ1 используют в усилителях ВЧ. Ее выпус­кают в двух модификациях, различающихся коэффициентом усиления напряжения. На частоте 50 МГц при входном сигнале 10 мВ и добротности контура Q = 60 резонансный усилитель, выполненный на микросхеме 219УВ1А, обеспечивает усиление в 20 — 40 раз, а вы­полненный на микросхеме 219УВ1Б в 20 — 80 раз. Основу усилителя составляет каскодная пара транзисторов, включенных по схеме ОЭ — ОБ. Наличие в эмиттерной цепи набора резисторов позволяет использовать микросхему не только при номинальном напряжении источника питания 5 В, но и при напряжениях до 8 В. Потребляе­мая мощность не превышает 15 мВт.

Микросхема 219УР1 предназначена для использования в усили­телях ПЧ, работающих в диапазоне 0,5 — 1,0 МГц. Основу ее со­ставляет пара транзисторов, включенных по схеме ОЭ — ОЭ. При резонансной нагрузке (добротность контура Q = 60) и при входном сигнале 0,1 мВ усилитель обеспечивает на частоте 650 кГц коэффи­циент усиления не менее 600. Входное сопротивление превышает 600 Ом. Микросхему 219УР1 можно использовать и в качестве сме­сителя. В этом случае напряжение от внешнего гетеродина следует подавать на вывод 8. Напряжение питания микросхемы 5 В±10 %, потребляемая мощность не более 20 мВт.

Микросхема 219УН1 предназначена для создания двухкаскад-ного микрофонного усилителя с коэффициентом усиления на частоте 1 кГц не менее 200 и с коэффициентом нелинейных искажений не более 5 %. Подбором внешних элементов можно не только обеспе­чить работу в основном диапазоне частот 300 — 3400 Гц, но и пере­вести усилитель в диапазон ПЧ до 5 МГц. Напряжение питания микросхемы 5 В±10 %, потребляемая мощность не более 10 мВт.

Микросхема 219УП1 представляет собой двухкаскадный усили­тель НЧ и используется в качестве элемента шумоподавителя при отсутствии полезного сигнала на входе приемника. Диапазон рабо­чих частот 300 Гц — 5 МГц. При входном напряжении 30 мВ на частоте 3 кГц выходное напряжение усилителя превышает 750 мВ. Помимо основного назначения микросхема 219УП1 может найти применение в предварительном усилителе НЧ с диапазоном рабочих частот 0,1 — 7 кГц и в усилителе ПЧ на частотах до 700 кГц. На­пряжение питания микросхемы 5 В+10 %, потребляемая мощность не более 10 мВт.

Микросхемы 219МС1 и 219МС2 предназначены для использова­ния в подмодуляторах. Двухкаскадный подмодулятор на основе микросхемы 219МС1 может управлять емкостью варикапа на часто­тах от 200 Гц до 5 МГц, обеспечивая на частоте 1 кГц усиление более чем в 18 раз. Напряжение питания микросхемы 5 В±10 % или 8 В±10%. Потребляемая мощность не более 18 мВт.

Микросхема 219МС2, выполненная по трехкаскадной схеме, обладает большим усилением и обеспечивает на частоте 1 кГц вы­ходное напряжение 800 мВ при входном напряжении 2 мВ. Диапа­зон рабочих частот от 200 Гц до 1,5 МГц. Эту микросхему можно применять в радиостанциях для тонального вызова корреспонден­тов. Тонгенератор обеспечивает выходное напряжение не менее 1 В. Напряжение питания микросхемы 5 В±10 %, потребляемая мощ­ность не более 15 мВт.

Микросхема 219ДС1 совмещает в себе ограничитель и дискри­минатор, что позволяет ограничивать по амплитуде сигнал ПЧ перед подачей его на чувствительный фазовый детектор и этим снижать уровень нелинейных искажений. Микросхема используется в диапа­зоне частот 0,5 — 1 МГц. На частоте 650 кГц при входном напряжении 1 мВ напряжение ограничения составляет 0,9 — 1,4 В. Напря­жение питания микросхемы 5 В+10%, потребляемая мощность не более 2,5 мВт.

Микросхема 219ПС1 предназначена в основном для применения в смесителях частоты. Она выпускается в двух модификациях (А, Б) для диапазонов частот 44 — 55 и 10 — 14 МГц. При частоте сигнала 48 МГц (U_с=10 мВ) и частоте гетеродина 34 МГц (U_гет=:200 мВ) коэффициент преобразования смесителя на микро­схеме 219ПС1А не менее 30. Микросхема 219ПС1Б при частоте сиг­нала 14 МГц (U_c=5 мВ) и частоте гетеродина 13,35 МГц (U_гет= = 250 мВ) обеспечивает коэффициент преобразования не менее 80. Наличие в микросхеме дифференциальной пары согласованных тран­зисторов позволяет создавать на ее основе такие узлы малогаба­ритных приемников УКВ диапазона, как дифференциальные и каскодные усилители ВЧ и ПЧ, преобразователи частоты, усилители НЧ и т. д. Напряжение питания микросхемы 5 В±10 % или 8 В± + 10 %. Потребляемая мощность не более 23 мВт.

Микросхемы 219ГС1 и 219ГС2 применяют в качестве активных элементов кварцевых генераторов, работающих на частотах 30 — 70 и 1 — 30 МГц соответственно. Генераторы выполняют по емкостной трехточечной схеме. Генератор на микросхеме 219ГС1 на частоте 34 МГц обеспечивает выходное напряжение не менее 130 мВ. Отно­сительная нестабильность частоты (без учета нестабильности часто­ты кварцевого резонатора) не более +5Х10~^в. Потребляемая мощ­ность не более 15 мВт. Генератор на микросхеме 219ГС2 на часто­те 13,55 МГц обеспечивает выходное напряжение не менее 230 мВ. Относительная нестабильность частоты + 10Х10-⁶. Потребляемая мощность не более 15 мВт. Напряжение питания 5 В+10%,

Для создания маломощных ЧМ возбудителей в виде кварцевых генераторов с непосредственной модуляцией выпускают микросхему 219ГСЗ. Для обеспечения модуляции последовательно с кварцевым резонатором включают варикап, емкость которого меняется под влиянием напряжения, подаваемого с выхода подмодулятора. На частоте 10 МГц девиация частоты составляет не менее +5 кГц. Выходное напряжение модулированного сигнала не менее 45 мВ. Коэффициент гармоник не более 13 %. Напряжение питания микро­схемы 5 В+10 %, потребляемая мощность не более 15 мВт.

Микросхемы 219НТ1 и 219НТ2 — транзисторные сборки, пред­назначенные для создания маломощных транзисторных каскадов. Микросхема 219НТ1 содержит пять транзисторов 2Т317, а микро­схема 219НТ2 — четыре.

Микросхемы серии 235 для KB и УКВ радиоаппаратуры. Соче­танием высокой функциональной законченности с многоцелевым на­значением характеризуются микросхемы серии 235, предназначенные для использования в KB и УКВ радиоаппаратуре на частотах до 150 МГц. Серия состоит из 22 микросхем, выполненных по гибрид­ной технологии.

Микросхему 235УВ1 (рис. 2.1,а) выпускают в двух модифика­циях (А, Б) и применяют в основном в усилителях ВЧ (см. рис. 2.2,а).

Усилительная часть микросхемы, выполненная по каскодной схе­ме ОЭ — ОБ на транзисторах Т₂ и Т₁, обеспечивает устойчивое усиление на ВЧ при сравнительно низком уровне шума (на частоте 150 МГц коэффициент шума не более 7 дБ для модификации А и. не более 10 дБ для модификации Б). Крутизна проходной характе­ристики на частоте 150 МГц не менее 7 мА/В, а на частоте 10 МГц не менее 20 мА/В. Благодаря термозавиоимому делителю базового смещения (резисторы R₁ — R₃ и диоды Д₁ и Д₂) и цепям обратной связи относительное изменение крутизны проходной характеристики не превышает ±25% в интервале температур от — 60 до -f-70°C.

На частоте 10 МГц входное сопротивление не менее 0,5 кОм, входная емкость не более 25 пФ, выходное сопротивление не менее 30 кОм, а выходная емкость около 6 пФ.

Схема на транзисторе Т₃ позволяет осуществить АРУ. Измене­ние напряжения, подаваемого на вывод 7, вызывает изменение эмит-терного тока транзистора Тз, а следовательно, и токов транзисторов T₂ и T₁. В результате происходит смещение рабочей точки усили­теля. Напряжение задержки АРУ не менее 1,45 В, а максимальная глубина регулировки по цепи АРУ до 46 дБ (при напряжении АРУ 4 В).

При сопротивлении нагрузки 100 Ом микросхема обеспечивает на частоте 10 МГц усиление не менее чем в 200 раз (при коэффи­циенте устойчивости 0,9).

Напряжение питания 6,3±10 %, потребляемая мощность не бо­лее 20 мВт.

Кроме своего основного назначения микросхема 235УВ1 приме­няется в смесителях с регулируемым коэффициентом преобразова­ния. Напряжение внешнего гетеродина в этом случае подают в кол­лекторную цепь транзистора Т₂ через конденсатор C₄ или через внешний конденсатор, подключаемый к выводу 8.

Микросхемы 235УР2 (рис. 2.1,6) и 235УР8 предназначены глав­ным образом для работы в качестве выходных усилителей тракта ПЧ. Они имеют одинаковое схемное построение, которое включает в себя трехкаскаднын усилитель на транзисторах TI — Т₃ и эмиттер-иып повторитель на транзисторе 7V

Входная часть усилителя выполнена по схеме с ОЭ, а выход­ная — -по каскодной схеме. Это обеспечивает хорошую развязку по переменной составляющей между входом и выходом микросхемы. Наличие глубокой обратной связи по постоянному току позволяет изменять питающее напряжение от 4 до 16 В.

Рис. 2.2. Варианты применения усилительных микросхем серии 235:

 

Для выравнивания частотной характеристики в эмиттерной цепи первого каскада использована частотная коррекция, благодаря чему микросхему можно применять как широкополосный усилитель. Коэф­фициент усиления регулируется с глубиной 18 дБ изменением со-противтения резистора, подключаемого между выводами 2 и 5. Поскольку этот резистор оказывается включенным в цепь обратной связи, то изменение его сопротивления практически не оказывает влияния на стыковочные параметры микросхемы. Наличие вывода 4 позволяет подавать входной сигнал непосредственно на базу тран­зистора Т₃, минуя входной каскад. Мискросхемы могут применять­ся с различными по характеру нагрузками (LC-контур, электроме­ханический фильтр и др.).

Микросхемы 235УР2 и 235УР8 различаются номиналами исполь­зуемых конденсаторов. Применение в микросхеме 235УР8 конденса­торов большей емкости снижает нижнюю граничную частоту до 75 кГц вместо 250 кГц у микросхемы 235УР2. На частотах 1,6 и 25 МГц микросхемы обеспечивают крутизну проходной характери­стики соответственно не менее 75 и 25 мА/В, входное сопротивление не менее 3 кОм, а входную емкость не более 15 пФ. При коэффи­циенте устойчивости 0,9 обе микросхемы на частоте 1,6 МГц обес­печивают усиление более чем в 300 раз.

Пример построения усилителя на основе микросхемы 235УР2 показан на рис. 2.2,6.

Микросхемы 235УРЗ (рис. 2.1,0) и 235УР9 предназначены для использования в усилителе ПЧ с апериодической или селективной нагрузкой. Они отличаются от микросхем 235УР2 и 235УР8 нали­чием цепи АРУ.

Обе микросхемы выполнены по одинаковой электрической схеме и различаются номиналами используемых конденсаторов. Микро­схемы содержат по два одинаковых усилительных каскада, собран­ных по схеме ОК — ОБ. Транзисторы T₁ и Т₃, включенные по схеме с ОК, предназначены для согласования каскадов, а транзисторы Т₂ и T₄ обеспечивают усиление по напряжению. Напряжение АРУ по­дают на базовые входы транзисторов T1 и Т₃ через диоды Д₍ и Д₂. Максимальная глубина регулирования 86 дБ.

На диодах Д₃ и Д₄ выполнено устройство, которое позволяет менять характер температурной зависимости крутизны характеристи­ки микросхемы перекоммутацией внешних выводов. Например, если замкнуть выводы 7 и 8, температурная зависимость становится отрицательной и микросхему можно стыковать с пьезокерамнческим фильтром, имеющим обратную температурную зависимость.

Помимо построения различных усилителей ПЧ (рис. 2.2,0, г) микросхемы 235УРЗ и 235УР9 можно использовать в качестве огра­ничителей с максимальным выходным напряжением не менее 2,3 В или в качестве аналоговых ключей. Обе микросхемы обеспечивают на частоте 25 МГц крутизну проходной характеристики не менее 30, а на частоте 1,6 МГц — не менее 70 мА/В. На этой же частоте входное сопротивление превышает 2,5 кОм, входная емкость не более 20 пФ₅ выходное сопротивление не менее 15 кОм, а выходная емкость составляет около 6 пФ. При коэффициенте устойчивости более 0,8 максимальный коэффициент усиления превышает 400. На­пряжение питания микросхем 6,3 В+10 %, потребляемая мощность не более 23 мВт.

Микросхемы 235УН4 (рис. 2.1,г) и 235УН10 обладают широки­ми функциональными возможностями. Они могут быть использова­ны как дифференциальные широкополосные усилители, усилители НЧ с эмиттерным повторителем, инверторы, парафазные усилители, симметричные ограничители, электронные ключи и т. д.

Основу микросхем, которые различаются только номиналами используемых конденсаторов, составляет дифференциальный каскад на транзисторах Т₂ и Т₅ с токостабилизирующим элементом на транзисторе Т₃. В базовом делителе дифференциальной пары при­менен для термокомпенсации диод Д₁. Транзистор. T₄ в диодном включении стабилизирует режим транзистора Т₃. Входные сигналы можно подать на выводы lull или 2 и 10. Выходное напряжение снимают с выводов 5 и 7. На обоих выходах микросхем включены эмиттерные повторители на транзисторах Т_} и Т₆. При использова­нии в качестве входных выводов 1 и 11 нижняя граница частотного диапазона усилителя на микросхеме 235УН4 составляет 2,5 кГц а на микросхеме 235УН10 0,3 кГц. Верхняя граничная частота на уровне 3 дБ достигает соответственно 4 и 7,5 МГц. На частоте 10 кГц входное сопротивление не менее 4 кОм, а коэффициент уси­ления не менее 16.

Микросхемы обеспечивают подавление синфазного сигнала с ко­эффициентом не менее 40 дБ. Коэффициент асимметрии выходных напряжений не превышает 10 %.

С помощью внешнего резистора, включенного между выводами 5 и 4, можно регулировать коэффициент усилителя в пределах до 4 дБ. При подаче сигналов на входы 2 и 10 микросхемы могут быть применены для усиления постоянного тока.

При использовании микросхем в качестве ограничителей порог ограничения по входному сигналу составляет 110+40 мВ. Если микросхема работает в качестве аналогового ключа, то запирающее напряжение следует подавать на эмиттеры транзисторов T₂ и т1 через вывод 9. При наличии запирающего напряжения затухание сигнала не менее 34 дБ. Напряжение питания 6,3 В+10 %, потреб­ляемая мощность не более 23 мВт. Пример использования микро­схемы приведен на рис. 2.2Д

Микросхему 235УН5 (рис. 2.1,5) применяют для усиления НЧ колебаний. Первый каскад микросхемы на транзисторе Т_} выполнен по схеме ОЭ, второй каскад на транзисторе Т₂ работает как эмит-терный повторитель, обеспечивая согласование с оконечным пара-фазным каскадом на транзисторах Т₃ и 7Y На частоте 1 кГц микросхема усиливает не менее чем в 400 раз. Входное сопротивление не менее 4 кОм. Максимальное выходное напряжение на парафаз-ном выходе не менее 1 В. Рабочий диапазон частот 25 Гц — 100 кГц, причем верхнюю граничную частоту можно регулировать внешним конденсатором, включаемым между выводом 8 и кор­пусом.

Предусмотрена возможность подачи входного сигнала непо­средственно на базу транзистора Т₂, минуя первый усилительный каскад. Усиление микросхемы при этом уменьшается в 30 — 40 раз. При необходимости может быть использован только первый каскад.

Напряжение питания микросхемы 6,3 В+10 %, потребляемая мощность не более 14 мВт. Пример включения микросхемы в уси­лительном режиме показан на рис. 2.2,е.

Микросхемы 235УР7 (рис. 2Л,е) и 235УР11 используют преиму­щественно в усилителях ПЧ. Они отличаются от микросхем 235УР2 и 235УР8 меньшим усилением, наличием цепи АРУ и большим вход­ным сопротивлением, а от микросхем 235УРЗ и 235УР9 — лучшей равномерностью усиления в частотном диапазоне и меньшей глуби­ной регулировки коэффициента усиления.

Каждая из микросхем содержит усилитель на транзисторах Т₁ и Т₂ и многоцелевой каскад на транзисторе Т₃. Последний может быть использован как развязывающий эмиттерный повторитель, до­полнительная ступень усиления с коллекторной нагрузкой или амплитудный транзисторный детектор.

Каскад, выполненный по схеме ОК на транзисторе Т₁, обеспе­чивает согласование с предыдущим каскадом. Основное усиление дает транзистор Т₂, включенный по схеме ОБ. Смещение баз тран­зисторов задается термокомпенсирующей цепью, на которую через вывод 4 подают напряжение АРУ (максимальная глубина АРУ не менее 46 дБ). Нагрузкой входного каскада служит резистор R$, напряжение с которого можно подать на базу транзистора Т₃, если соединить выводы 8 и 10.

Режим ограничения в микросхемах реализуется в активной области за счет уменьшения коэффициента усиления каскада. При увеличении входного сигнала возрастают постоянные составляющие токов баз транзисторов Т₁ и T₂, а следовательно, и падение напря­жения на резисторах Re и R₇. Положительные смещения на базах уменьшаются, транзисторы работают при меньшей крутизне пере­даточной характеристики. За счет диода Д_{ создаются предыска­жения входного сигнала. Этим частично компенсируются искаже­ния в усилителе. Уменьшению искажений усиливаемого сигнала способствует и отрицательная обратная связь из-за падения напря­жения на резисторе R₄.

Верхняя граничная частота микросхем составляет 100 МГц, а нижняя для микросхемы 235УР7 не превышает 100 кГц и для микросхемы 235УР11 75 кГц. На частоте 1,6 МГц крутизна проход­ной характеристики обеих микросхем более 10 мА/В, а на частоте 100 МГц более 5 мА/В. При коэффициенте устойчивости более 0,8 на частоте 4,2 МГц коэффициент усиления более 100. Микросхема имеет на частоте 1,6 МГц входное сопротивление не менее 2 кОм, выходное сопротивление не менее 10 кОм, входную емкость не более 20 пФ, а выходную емкость не более 15 пФ. Напряжение питания 6,3 В+10%, потребляемая мощность не более 30 мВт.

Примеры использования микросхем 235УР7 и 235УР11 показа­ны на рис. 2.2,ж, з.

Микросхема 235ХА6 (рис. 2.1,ж) занимает особое положение в серии 235 из-за своей многофункциональности. Ее называют уни­версальной. Микросхема состоит из двух идентичных ступеней, поз­воляющих создавать как независимые однокаскадные устройства, так и различные их комбинации. При этом независимо от схемы включения транзисторов имеющиеся в микросхеме пассивные компо­ненты обеспечивают постоянство режима по постоянному току. Для термостабилизации режима использованы термозависимые базовые делители с диодами Д_{ и Д₂, а также глубокая отрицательная обратная связь по постоянному току через резисторы R₄ и Rs-

Микросхема 235ХА6 предназначена для использования в диа­пазоне частот 0,1 — 150 МГц в качестве усилителей ПЧ, ВЧ, сме-сителя, гетеродина, ограничителя, преобразователя или умножителя частоты и т. д.

Крутизна проходной характеристики на частоте 10 МГц превы­шает 12 мА/В, а на частоте 100 МГц не менее 5 мА/В. На частоте 10 МГц входное сопротивление не менее 1,2 кОм, выходное сопро­тивление не менее 20 кОм, входная емкость не превышает 15, а выходная около 6 пФ. Напряжение питания 6,3 В+10 %, потреб­ляемая мощность не более 29 мВт.

Примеры применения микросхемы 235ХА6 показаны на рис. 2.2,ы — м.

Микросхема 235ДС1 (рис. 2.3,а) совмещает в себе усилитель — ограничитель и частотный детектор. Усилительная часть на транзи­сторах ti и tz выполнена по такой же схеме, как и усилитель ми­кросхемы 235УР7. Введение в базовую цепь транзистора Т_я вместо диода обеспечивает большую идентичность предыскажений с иска­жениями, возникающими в каскаде на транзисторе Ту. Напряжение АРУ подают в базовую цепь транзистора Т₁ через включенный дио­дом транзистор Тз. Глубина АРУ более 52 дБ. Усилитель микро­схемы 235ДС1 имеет такие же параметры, как и усилитель микро­схемы 235УР7.

Частотный детектор микросхемы выполнен на диодах Д₁ и Д₂. Для фильтрации ВЧ составляющей продетектированного сигнала применен общий для двух диодных детекторов конденсатор С$. Коэффициент передачи частотного детектора более 0,35. Напряже­ние питания микросхемы 6,3 В±10 %, потребляемая мощность не более 30 мВт.

Примеры построения усилителя-ограничителя и частотного де­тектора с ограничителем приведены на рис. 2.4,а, б.

Микросхемы 235ДА1 и 235ДА2 (рис. 2.3,6) могут быть исполь­зованы как амплитудные детекторы и одновременно как детекторы АРУ с усилителем постоянного тока. Микросхемы различают номи­налами трех конденсаторов.

Рис. 2.4. Варианты применения микросхем серии 235:

 

В каждой из микросхем оба детектора совмещены в одном каскаде на транзисторе Т₁. Сигнал НЧ снимается с змиттерной нагрузки Rs, С₃ через вывод 11, а напряжение АРУ с коллекторной нагрузки R₄, С₄ подается на усилитель постоянного тока. Постоян­ная времени детектора сигнала может быть изменена подключением конденсатора Сз при замыкании выводов 10 и 11 или внешнего конденсатора между выводами 11 и 4.

На выходе усилителя постоянного тока, выполненного на тран­зисторе Т г, включен пиковый детектор Д₃ с большой постоянной времени цепи нагрузки. В качестве нагрузки пикового детектора используются эмиттерный повторитель на транзисторе Т₃ и внешний конденсатор, подключаемый к выводу 8. При такой схеме эффек­тивно подавляется переменная составляющая НЧ. Напряжение АРУ пропорционально амплитуде огибающей модулированного сигнала. Меняя емкость подключаемых к выводу 8 конденсаторов, можно регулировать постоянную времени АРУ.

Если к выводу 8 не подключать конденсатор, диоды Д₃ и Да будут выполнять функцию развязки между каскадами. Начало дей­ствия системы АРУ по входному сигналу можно изменять шунтиро­ванием резистора ri внешним резистором, подключаемым между выводами 3 и 6, или включением резистора между выводами 5 и 6.

Детектор сигнала имеет коэффициент передачи не менее 0,4, Коэффициент передачи по управляющему напряжению АРУ на ча­стоте сигнала 1,6 МГц не менее 20, а на частоте 100 МГц не менее 14. Постоянная времени спада напряжения АРУ (при под­ключении к выводу 8 конденсатора С=10 мкФ) около 4 с. Верхняя граничная частота микросхем 100 МГц, нижняя граничная частота у микросхемы 235ДА1 300 кГц, а у микросхемы 235ДА2 30 кГц, На частоте 1,6 МГц входное сопротивление не менее 3 кОм, а вход­ная емкость не более 20 пФ. Коэффициент нелинейных искажений не более 5 %.

Напряжение питания 6,3 В±10 %, потребляемая мощность не более 15,2 мВт.

Пример построения схемы амплитудного детектора на микро­схеме 235ДА1 показан на рис. 2.4,0.

Микросхемы 235КП1 (рис. 2.3,в) и 235КП2 являются коммута­торами трактов ПЧ и НЧ, а также многочастотных гетеродинов. Они обеспечивают переключение одной цепи на три направления, и наоборот.

Принцип действия коммутатора основан на изменении сопро­тивления р-n переходов диодной матрицы при изменении полярности управляющего напряжения. При подаче в цепь смещения напряже­ния 6,3 В (ток смещения не более 0,5 мА) и при отсутствии управ­ляющих напряжений все три направления закрыты. На частоте 1 МГц в этом случае обеспечивается затухание в каждой цепи не менее 34 дБ. При подаче в одну из цепей достаточного для откры­вания перехода напряжения (ток управления не более 2,5 мА) за­тухание в этой цепи падает до 6 дБ. Отношение затухания закры­того и открытого каналов можно несколько увеличить путем повы­шения питающих напряжений до 10 — 12 В. Развязка между кана­лами более 20 дБ.

Обе микросхемы обеспечивают одинаковые параметры за исклю­чением нижней граничной частоты. У микросхемы 235КП1 она составляет 250 кГц, а у микросхемы 235КП2 снижена до 75 кГц.

Напряжение питания микросхем 6,3 В+10 %, потребляемая мощность не более 20 мВт.

Рекомендуемые варианты использования микросхемы 235КП1 показаны на рис. 2.4,г, д.

Микросхема 235АП1 (рис. 2.3,г) предназначена для формиро­вания импульсных сигналов и представляет собой триггер Шмитта с выходным усилителем мощности.

Микросхема устойчиво работает в диапазоне частот 80 Гц — 1 МГц. Входное сопротивление не менее 5 кОм. Напряжение сраба­тывания формирователя не превышает 225 мВ, а амплитуда выход­ного импульса больше 2,5 В. Изменением сопротивления резистора, включаемого между выводами 5 и 9, можно регулировать порог срабатывания. Резисторы, включаемые между выводами 7 и 6, 4 и 5, служат для изменения скважности выходных импульсов.

Напряжение питания 6,3 В+10 %, потребляемая мощность не более 20 мВт.

Вариант использования микросхемы показан на рис. 2А,е.

Микросхему 235ПП1 (рис. 2.3,д) используют как управляемый делитель напряжения системы АРУ.

Регулирование осуществляется изменением сопротивлений дно-дов, включенных в цепь подачи сигнала и управляемых усилителем постоянного тока на транзисторе Т₁. Пока на вывод 5 не подают управляющее напряжение, диоды Д₁ и Д₃ открыты, а диод Д₂ закрыт. Ослабление сигнала при этом не превышает 8 дБ. При воздействии управляющего напряжения на базу транзистора Т_г диоды Д₁ и Д₃ закрываются, а шунтирующий их диод Д₂ откры­вается. При управляющем напряжении 4 В (ток в цепи управления не превышает 2,2 мА) коэффициент ослабления в цепи передачи сигнала возрастает до 46 дБ.

Для изменения режима работы в микросхеме имеются подклю­ченные к выводам 3 и 9 резисторы R₁ и R₁₀. Предусмотрена также возможность повышения коэффициента передачи при отсутствии за­пирающего напряжения. Для этого следует подключить к выводам 2, 7 и 10 дроссели.

Напряжение питания микросхемы 6,3 В±10 %, потребляемая мощность не более 20 мВт.

Пример применения микросхемы 235ПП1 показан на рис. 2А,ж.

Микросхемы 235ПС1 (рис. 2.5,а) и 235ПС2 применяют в пре­образователях частоты. В каждую из них входит усилитель на транзисторе Т₁, двойной балансный смеситель на транзисторах Т₂ — Т₅ и гетеродин на транзисторе Т₇.

Входной усилительный каскад используется для повышения уровня напряжения сигнала, подаваемого на вход смесителя. На­грузкой каскада служат транзисторы T₂ и T₃. На транзисторы T₄ и Т₅, также входящие в состав смесителя, напряжение сигнала не подается. При подаче на вывод 5 напряжения гетеродина в нагруз­ке происходит компенсация встречно направленных составляющих тока с частотой гетеродина, протекающих в коллекторных цепях транзисторов основной и вспомогательной пар. Комбинационные составляющие не претерпевают изменений. Такой преобразователь, в частности, может найти применение в приемниках однополосных сигналов.

 

Гетеродинная часть микросхем на транзисторе T₇ может быть использована в нескольких вариантах.

Режим работы транзисторов микросхемы по постоянному току определяется делителем R_io, Re, R?, Rs, Т_й. Транзистор Т_й исполь­зуется как термокомпенсирующий диод.

Нижняя граничная частота по сигнальному входу для микро­схемы 235ПС1 не более 600 кГц, а для микросхемы 235ПС2. не более 50 кГц и соответственно по гетеродинному входу 50 кГц и 1 кГц. Микросхема обеспечивает крутизну преобразования не менее 2 мА/В при частоте сигнала 150 и частоте гетеродина 148,4 МГц. Коэффициенты подавления по сигнальному и гетеродинному входам не менее 10 дБ. Сопротивление сигнального входа не менее 1, а. ге­теродинного не менее 1,5 кОм. Емкости сигнального и гетеродинного входов не более 25 пФ. Напряжение собственного гетеродина не менее 300 мВ. Напряжение питания 6,3 В±10%, потребляемая мощ­ность не более 35 мВт.

Примеры практического использования микросхем показаны на рис. 2.4,3, и.

Микросхемы 235МП1 (рис. 2.5,6) и 235МП2 представляют собой кольцевые модуляторы, выполненные по единой схеме и различающиеся только емкостью отдельных конденсаторов. Последова­тельно с диодами Д1 — Д4 включены резисторы R₅ — R₈ для улучше­ния симметрии. Симметрирование входов и выходов модулятора производится с помощью резисторов R1, R₂, R11, R₁₂. Для подачи напряжения на диагонали моста в схеме имеются две пары рези­сторов: R₃, R4 и R₉, R₁₀.

Если подключить к микросхеме трансформаторы и подать на­пряжения несущей и модулирующей частот так, как показано на рис. 2А,к, то на выходе появится модулированное колебание, в спектре которого будут содержаться составляющие верхней и нижней боковых частот. Составляющие с частотой несущей и мо­дулирующего сигнала будут подавлены. Можно выполнить моду­лятор и без трансформаторов. В этом случае микросхему включают между симметрирующими усилительными микросхемами 235УН4, обеспечивающими парафазные выходы.

Микросхемы 235МП1 и 235МП2 используют и для создания фазовых детекторов. Напряжения гетеродина и сигнала подают через симметрирующие усилители 235УП1 на входы 1, 3 к 9, 11, а выходное напряжение НЧ снимают с нагрузки (с фильтрующим конденсатором), включенной между выводами 5 и 7.

Нижняя граничная частота по сигнальному входу у микросхе­мы 235МП1 не превышает 10, а у микросхемы 235МП2 — 2,5 кГц. Крутизна характеристики в режиме фазового детектора на частоте 0,2 МГц не менее 6,5 мВ/град, коэффициент передачи модулятора на этой частоте более 0,2. Коэффициент подавления ВЧ в диапазо­не 50 — 2500 кГц изменяется от 26 до 14 дБ.

Пример модулятора на микросхеме 235МП1 приведен на рис. 2.4,к.

Микросхемы серии 435 для аппаратуры радиосвязи. Серия со­стоит из 14 гибридных микросхем, предназначенных для создания высококачественной радиоаппаратуры, работающей в диапазоне до 200 Мгц.

По полноте укомплектования, электрическим параметрам и функциональным возможностям микросхем серия 435 превосходит серии 219, 235 и др. Некоторые микросхемы серии 435 выполнены аналогично лучшим микросхемам серии 235.

Серия 435 содержит усилитель ВЧ и ПЧ с АРУ (435УВ1) с крутизной проходной характеристики не менее 60 мА/В; эконо­мичный усилитель ПЧ (435УР1) с крутизной проходной характери­стики более 120 мА/В; три усилителя НЧ (435УН1, 435УН2 и 435УНЗ), первый из которых характеризуется высокой универсаль­ностью, а последний повышенной выходной мощностью (40 мВт); усилитель-ограничитель (435УП1) с амплитудными детекторами для частотных дискриминаторов; микросхему усилителя-генератора 435УП2, предназначенную для создания двух независимых генера-торов или четырех коммутируемых эмиттерных повторителей; ми­кросхему 435КН1 с шестью независимыми транзисторными ключами и микросхему 435КН2 с двумя идентичными независимыми комму­таторами; универсальную микросхему 435 ХП1, работающую на частотах до 200 МГц; двойной балансный смеситель (435ХА1); кольцевой модулятор (435МА1); формирователь импульсных сигна­лов (435АП), выполненный на триггере Шмитта; детектор AM сигналов с усилителем постоянного тока и эмиттерным повторите­лем (435ДА1).

Напряжение питания микросхем 6 В±10 %.

 

Микросхемы серии К175 для радио­вещательной аппаратуры. Серия состо­ит из пяти микросхем, позволяющих выполнить в интегральном исполнении основные узлы радиовещательных при­емников.

Микросхема К175УВ1 представляет собой широкополосный усилитель с ко­эффпциентом усиления по напряжению не менее 10. Коэффициент гармоник не более 10%. Входное сопротивление не менее 1 кОм. Выпускают дзе модифи­кации микросхемы с различными верх» ними частотами (30 и 45 МГц).

Напряжение питания микросхемы 6,3 В+10 % при токе потребления не более 15 мА.

Микросхема К175УВ2 является универсальным усилителем. Универсальность микросхемы определяется наличием в ней диффе­ренциального усилителя.

Микросхему выпускают в двух модификациях, различающихся верхней рабочей частотой (40 или 55 МГц). Входное сопротивление микросхемы не менее 1 кОм, коэффициент шума не более 10 дБ, крутизна проходной характеристики не менее 10 мА/В.

Напряжение питания микросхемы 6 В+10 % при токе потреб­ления не более 3,5 мА.

Микросхема К175УВЗ является стабилизированным экономич­ным усилителем с повышенной крутизной проходной характеристи­ки (250 — для модификации А и 400 мА/В — для модификации Б). Верхняя граничная частота 2,5 МГц, входное сопротивление не ме­нее 750 Ом, коэффициент шума не более 10 дБ.

Напряжение питания б В+10 % при токе потребления не более 2 мА.

Микросхема К175УВ4 является усилителем-преобразователем ВЧ и определяет частотный диапазон аппаратуры, создаваемой на ми­кросхемах серии К175. Верхняя граничная частота усилителя-пре­образователя ВЧ составляет 150 МГц. Крутизна проходной харак­теристики на частоте 1 МГц не менее 10 мА/В.

Напряжение питания 6,3 В+10 %. Ток потребления не более 3 мА.

Микросхема К175ДА1 содержит детектор AM сигналов и детек­тор АРУ с усилителем постоянного тока. Коэффициент передачи детектора не менее 0,4, коэффициент передачи по цепи АРУ не менее 20.

Напряжение питания 6 В+10 %. Ток потребления не более 2 мА.

На рис. 2.6 показан для примера широкополосный усилитель на микросхеме К175УВЗ.

 

 

Микросхемы серии К224. Серия К224 одна из наиболее распро­страненных в практике радиолюбителей. За годы выпуска серии со­став ее и параметры микросхем существенно изменились. На мо«

мент написания книги серия состояла из 31 микросхемы. В основ­ном они предназначены для создания телевизионной аппаратуры, но могут найти широкое применение и в радиовещательных прием­никах.

Микросхема К2УС242 (рис. 2.7,а) представляет собой однокас-кадный универсальный усилитель для приемников AM и ЧМ.

Транзистор ti может быть включен по схеме ОЭ, ОБ или ОК. В зависимости от схемы включения меняются функции, выполняе­мые имеющимися в микросхеме пассивными компонентами. В схеме ОЭ резистор Rz используют в качестве нагрузочного, резистор R₃ стабилизирует режим транзистора, конденсатор С₂ при соединении выводов 6 и 7 уменьшает обратную связь по переменной состав­ляющей, а цепь R4, С₃ выполняет роль фильтра в цепи питания, если напряжение питания подают на вывод 9.

Смещение на базу транзистора подают обычно от внешнего ста­билизированного источника (3 В) через вывод 2 и резистор R_{. Эта цепь может быть использована для подачи напряжения АРУ (например, от микросхемы К2ЖА243).

При включении по схеме ОЭ сигнал поступает на базу транзи­стора через вывод 1 и конденсатор С_ь Нагрузка может быть апе­риодической или резонансной. В первом случае ее сопротивление должно выбираться из условия пребывания рабочей точки в линей­ной активной области характеристик при заданном питающем на­пряжении и из условия обеспечения требуемого коэффициента уси­ления. При резонансной нагрузке первичную обмотку трансформа­тора целесообразно включить между выводами 4 к 8, а напряже­ние питания подать на вывод 9 (см. рис. 2.8,а). Для расширения полосы пропускания параллельно контуру можно подключить рези­стор сопротивлением 5 — 10 кОм.

Микросхему К2УС242 можно использовать в качестве смесите­ля. При этом сигнал подают через вывод 1 на базу транзистора, а напряжение гетеродина — через вывод 6 на эмиттер. Для выде­ления ПЧ целесообразно использовать пьезокерамический фильтр, связанный с микросхемой через согласующий трансформатор.

На основе рассматриваемой микросхемы можно создать и гете­родин. Его выполняют по схеме с индуктивной связью с перемен­ным конденсатором в выходном контуре (при необходимости пере­стройки гетеродина).

Примеры использования микросхемы К2УС242 в усилителе и в преобразователе показаны на рис. 2.8,а, б.

Микросхему К2УС242 можно использовать в диапазоне 0,15 — 30 МГц. При этом параметры устройства существенно зависят от схемы включения транзистора и параметров навесных элементов. Для примера можно отметить, что в усилительном режиме при включении транзистора по схеме ОЭ микросхема на частоте 10 МГц имеет входное сопротивление 150 Ом и обеспечивает крутизну пе­редаточной характеристики не менее 25 мА/В. Напряжение питания 3,6 — 9 В, потребляемая мощность не более 15 мВт.

Микросхема К2УС245 (рис. 2.7,6) предназначена для создания бестрансформаторных усилителей НЧ. Она выполнена на пяти тран­зисторах. Каскад на транзисторе ti используется как эмиттерный повторитель. Он обеспечивает входное сопротивление микросхемы больше 15 кОм, что необходимо при согласовании с высокоумным выходом амплитудного детектора.

Остальные каскады пред­ставляют собой апериодические усилители, причем каскад на транзисторе Гз работает как змиттерный повторитель. Рези­сторы в эмиттерных цепях транзисторов обеспечивают обратную связь по переменной и постоянной составляющим. Кроме того, можно подавать напряжение обратной связи с выходного каскада усилителя НЧ на базы транзисторов Т₂ (через вывод 5) и ts (через вывод 8). Благодаря этому коэффициент нели­нейных искажений на частоте 1 кГц не превышает 3%. Коэффи­циент усиления на этой частоте больше 140. Диапазон частот от 80 Гц до 20 кГц. Напряжение питания микросхемы 5,4—12 В, по­требляемая мощность не превышает 80 мВт.

На рис. 2.8,0 показан один из возможных вариантов использо­вания микросхемы К2УС245.

Микросхема К2УС247 (рис. 2.7,в) предназначена для создания выходных УПЧИ. Она представляет собой двухкаскадный усили­тель, выполненный по схеме ОЭ — ОБ.

Имеющиеся в микросхеме резисторы задают режимы работы транзисторов по постоянному току. Конденсаторы С₁ и С₂ раздели­тельные, конденсатор С₃ уменьшает обратную связь по переменной составляющей в первом каскаде, а конденсатор С₄ обеспечивает включение транзистора Т₂ по схеме ОБ.

Используя выводы 2, 4, 5 и 5, можно в широких пределах менять режимы работы транзисторов.

Выходной сигнал снимают с коллектора транзистора 7₂ (вывод 9) и подают затем на видеодетектор тракта цветности.