Контроль функциональных параметров микросхем

Литография

Локальное легирование

Окисление пластин кремния

получение пленки двуокиси кремния, маскирующей поверхность кристалла

при его локальном легировании

- эпитаксиальное наращивание кремния на кремниевые и инородные подложки

 

 

 

- осаждение из газовой фазы

- осаждение из паровой фазы

- осаждение из растворов

 

 

получение слоев, легированными примесями

- методом диффузии

донорных и акцепторных примесей в потоке газа-носителя

(способ открытой трубы)

 

 

в кварцевую трубу направляются три потока газа:

- основной поток азота (аргона)

- слабый поток азота (аргона), прошедший через жидкий источник

- слабый поток кислорода

кислород взаимодействует с

бромистым бором с образованием окисла бора и выделением брома

кремнием с образованием окисла кремния

окисел кремния с окислом бора образует боросиликатное стекло

кремний взаимодействует с окислом бора и образует окисел

кремния и элементарный бор

(аналогично происходит с фосфором)

- методом ионного внедрения

на поверхность подложки определенной ориентации подается

пучок ускоренных ионов примеси

с энергией, достаточной для проникновения в полупроводник

- комбинированным методом

- нанесение тонких металлических пленок на пластину

получение омических контактов к слоям структуры микросхемы и

электрической разводки

 

- образование рисунка в маскирующих пленках для локального легирования

- образование контактных окон

- формирование рисунка электрической разводки

- фотолитография

 

 

 

- фоторезист позитивный - пленка (после облучения) растворяется при проявлении

- фоторезист негативный - пленка (после облучения) нерастворима при проявлении

 

Последовательность операций:

 

- очистка поверхности пластин

- нанесение фоторезиста центрифугированием

- сушка слоя фоторезиста

- совмещение фотошаблона с пластиной

- экспонирование рисунка фотошаблона в слое фоторезиста

- проявление рисунка в слое фоторезиста

- задубливание фоторезиста

- травление окисла или металлизация не защищенных поверхностей

- удаление фоторезиста

- рентгенолитография

поток рентгеновских лучей направляется на шаблон, под которым

находится подложка, покрытая резистом, чувствительным к излучению

- электронолитография

- сканирующая электронная пушка с системой фокусирования формируют

остросфокусированный поток электронов с управлением от ЭВМ

- проекционная

фотокатод (источник электронов и шаблон рисунка конфигурации) освещается

ультрафиолетом участки, не защищенные пленкой, под действием

ультрафиолета испускают электроны

- ионная литография.

(комплекс операций: химическая обработка - термообработка - фотолитография):

изготовление интегральной микросхемы малой степени интеграции

на основе биполярных транзисторов с изоляцией элементов p-n переходом

изготовление изопланарной биполярной микросхемы

 

изготовление МОП-транзистора

 

- заключительные операции

- сопротивление проводников, наличие коротких замыканий и обрывов

- функционирование микросхемы по специальным тестам с использованием АСК