Туннельные диоды характеризуются следующими параметрами

1. Пиковый ток - прямой ток в точке максимума вольтамперной характеристики, при котором значение dI/dU равно нулю. Этот ток различен для туннельных диодов различного назначения. Величина его может быть от десятых долей миллиампера до сотен миллиампер.

2. Ток впадины I- прямой ток в точке минимума вольтамперной характеристики, при котором dI/dU равно нулю.

3. Отношение токов туннельного диода I/I- отношение пикового тока к току впадины. Для туннельных диодов из арсенида галлия это отношение больше или равно 10, для германиевых туннельных диодов оно равно 3-6.

4. Напряжение пика U- прямое напряжение, соответствующее току впадины. У туннельных диодов из арсенида галлия U= 100-150 мВ, для германиевых = 40-60 мВ.

5. Напряжение впадины U- прямое напряжение, соответствующее току впадины. У туннельных диодов из арсенида галлия оно равно 400-500 мВ, у германиевых – 250-300 мВ.

6. Напряжение раствора - прямое напряжение, большее напряжения впадины, при котором ток равен пиковому.

7. Удельная емкость туннельного диода С/I- отношение емкости туннельного диода к пиковому току.

8. Предельная резистивная частотаf- расчетная частота, на которой активная составляющая полного сопротивления последовательной цепи, состоящей из р-n – перехода и сопротивления потерь, обращается в нуль.

9. Резонансная частота туннельного диодаf₀ - расчетная частота, на которой общее реактивное сопротивление р-n – перехода и индуктивности корпуса туннельного диода обращается в нуль.

Изменение температуры туннельных диодов вызывает изменение его па-раметров. При повышении температуры уменьшается ширина запрещенной зоны исходных полупроводниковых материалов для туннельных диодов. Это вызывает в свою очередь уменьшение толщины потенциального барьера, сквозь который туннелируют электроны, вследствие чего растет вероятность туннелирования. Туннельная составляющая прямого тока и, в частности, пиковый ток увеличивается.

При увеличении температуры изменяется распределение электронов по энергетическим уровням – количество электронов над уровнем Ферми в зоне проводимости n-области уменьшается, так как часть свободных электронов переходит на более высокие энергетические уровни, а уровень Ферми смещается вниз. Поэтому уменьшается число электронов, которые могут туннелировать из n-области в р-область.

Суммарное влияние этих факторов делает температурные изменения туннельного тока небольшими, а пиковый ток туннельного диода может как возрастать, так и уменьшаться.

Инжекционная составляющая тока туннельного диода растет с повышением температуры как в обычных выпрямительных диодах, что приводит к увеличению тока впадины.