Выводы.

Для обеспечения высокого быстродействия ключа на биполярном транзисторе необходимо:

¾ Уменьшать емкость нагрузки С₂,

¾ Увеличивать ток нагрузки (уменьшать R₂),

¾ Сопротивление в цепи базы R₁ должно обеспечивать работу транзистора на грани насыщения,

¾ Использовать ускоряющую емкость оптимальной величины порядка 100 пФ.

Контрольные вопросы

1. При каких условиях биполярный транзистор заперт?

2. При каких условиях биполярный транзистор открыт и насыщен?

3. Почему в электронных устройствах ключевой транзистор должен работать в режиме насыщения? Что будет, если ключ будет ненасыщен?

4. Какие факторы влияют на быстродействие транзисторного ключа?

5. Как влияет емкость нагрузки С₁ на форму выходного сигнала транзисторного ключа?

6. Как влияет сопротивление нагрузки R₂ на форму выходного сигнала транзисторного ключа?

7. Как влияет сопротивление в цепи базы R₁ на форму выходного сигнала транзисторного ключа?

8. Почему при использовании ускоряющей емкости С₂ обеспечивается большее быстродействие ключа?