Классификация п/п диодов (кириллица)
Современная расшифровка материала в п/п приборах:
1 - Ge – германий;
2 - Si – кремний;
3 - AsGa – арсенид галлия;
4 - In – индий.
Диоды (подкласс Д):
При росте тока растет порядковый номер. Есть p-n переход.
1 - выпрямительные диоды с постоянным или средним значением прямого тока не более 0,3А;
2 - выпрямительные диоды с постоянным или средним значением прямого тока более 0,3А, но не свыше 10А;
3 - выпрямительные диоды с постоянным или средним значением прямого тока свыше 10А;
4 - импульсные диоды со временем восстановления обратного сопротивления более 500 нс;
5 - импульсные диоды с временем восстановления более 150 нс,ноне свыше 500 нс;
6 - импульсные диоды со временем восстановления 30...150 нс;
7 - импульсные диоды со временем восстановления 5...30 нс;
8 - импульсные диоды со временем восстановления 1...5 нс;
9 - импульсные диоды с эффективным временем жизни неосновных носителей заряда менее 1 нс.
Выпрямительные столбы и блоки (подкласс Ц):
Ц1 и Ц2 – столбы, Ц3 и Ц4 – блоки мостовых схем. Есть p-n переход.
1 - столбы с постоянным или средним значением прямого тока не более 0,3 А;
2 - столбы с постоянным или средним значением прямого тока 0,3...10 А;
3 - блоки с постоянным или средним значением прямого тока не более 0,3 А;
4 - блоки с постоянным или средним значением прямого тока 0,3...10 А.
Варикапы (подкласс В):
Электронное управление емкостью (управляющее напряжение обратной полярности). Ест p-n переход.
1 - подстроечные варикапы;
2 - умножительные варикапы.
Туннельные диоды (подкласс И):
Нет p-n перехода, есть туннель из долины в другую долину.
1 - усилительные туннельные диоды;
2 - генераторные туннельные диоды;
3 - переключательные туннельные диоды;
4 - обращенные диоды.
Сверхвысокочастотные диоды (подкласс А): есть p\n переход
Классификация по назначению.
1 - смесительные диоды;
2 - детекторные диоды;
3 - усилительные диоды;
4 - параметрические диоды;
5 - переключательные и ограничительные диоды;
6 - умножительные и настроечные диоды;
7 - генераторные диоды;
8 -импульсные диоды.
Стабилитроны (подкласс С): есть p\ n переход в обратном включении.
При росте мощности растет порядковый номер тройками: 0,3Вт – 1, 2, 3; 5Вт – 4, 5, 6;
10Вт – 7, 8, 9.
1 - стабилитроны мощностью не более 0,3 Вт с номинальным напряжением стабилизации менее 10 В;
2 - стабилитроны мощностью не более 0,3 Вт с номинальным напряжением стабилизации 10...100 В;
3 - стабилитроны мощностью не более 0,3 Вт с номинальным напряжением стабилизации более 100 В;
4 - стабилитроны мощностью 0.3...5 Вт с номинальным напряжением стабилизации менее 10 В;
5 - стабилитроны мощностью 0,3..5 Вт с номинальным напряжением стабилизации 10...100В;
6 - стабилитроны мощностью 0.3...5 Вт с номинальным напряжением стабилизации более 100 В;
7 - стабилитроны мощностью 5...10 Вт с номинальным напряжением стабилизации менее 10 В;
8 - стабилитроны мощностью 5...10 Вт с номинальным напряжением стабилизации 10...100В;
9 - стабилитроны мощностью 5...10 Вт с номинальным напряжением стабилизации более 100 В.
Генераторы шума (подкласс Г):
1 - низкочастотные генераторы шума;
2 - высокочастотные генераторы шума.
Для обозначения порядкового номера разработки используется двухзначное число от 01 до 99. Если порядковый номер разработки превысит число 99, то в дальнейшем применяется трехзначное число от 101 до 999.
В качестве квалификационной литеры используются буквы русского алфавита (за исключением букв 3, О, Ч, Ы, Ш, Щ, Ю, Я, Ь, Ъ, Э).
В качестве дополнительных элементов обозначения применяются следующие символы:
цифры 1...9 – для обозначения модификаций прибора, приводящих к изменению его конструкции или электрических параметров;
Буква С – для обозначения сборок – наборов в общем корпусе однотипных приборов, не соединенных электрически или соединенных одноименными выводами;
Цифры, написанные через дефис – для обозначения следующих модификаций конструктивного исполнения бескорпусных приборов:
1 - с гибкими выводами без кристаллодержателя;
2 - с гибкими выводами на кристаллодержателе (подложке);
3 - с жесткими выводами без кристаллодержателя (подложки);
4 - с жесткими выводами на кристаллодержателе (подложке);
5 - с контактными площадками без кристаллодержателя (подложки) и без выводов;
6 - с контактными площадками на кристаллодержателе без выводов, буква Р после последнего элемента обозначения – для приборов с парным подбором, буква Г – с подбором в четверки, буква К – с подбором в шестерки.
Примеры обозначения приборов:
2Д204В – кремниевый выпрямительный диод с постоянным и средним значением прямого тока 0,3... 10 А, номер разработки 04, группа В – квалификационная литера.
КС620А – кремниевый стабилитрон мощностью 0.5...5 Вт, с номинальным напряжением стабилизации более 100 В, номер разработки 20, группа А.
ЗИ309Ж – арсенидогаллиевый переключательный туннельный диод, номер разработки 09, группа Ж.
До введения в 1982 г. ОСТ 11336.919–81 применялась иная система условных обозначений. Она включала в себя два или три элемента (ГОСТ 5461-59).
Первый элемент – буква Д, характеризующая весь класс полупроводниковых диодов.
Второй элемент – число (номер), определяющее область применения:
1...100 – для точечных германиевых диодов;
101...200 – дляточечных кремниевых диодов;
201...300 – для плоскостных кремниевых диодов;
301...400 – для плоскостных германиевых диодов;
401...500 – для смесительных СВЧ детекторов;
501...600 – для умножительных диодов;
601...700 – для видеодетекторов;
701...749 – для параметрических германиевых диодов;
750...800 – для параметрических кремниевых диодов;
Условные обозначения п/п диодов приведены в табл. 1.1.2.
Таблица 1.2.2.
