Исследование свойств германиевого электронно-дырочного перехода (Ge).

Тип исследуемого германиевого электронно-дырочного перехода назначается преподавателем каждому студенту индивидуально.

Рис. 1.6

Изменяя значение сопротивления переменного резистора R и, тем самым, изменяя значение напряжения, подаваемого на электронно-дырочный переход, снимите зависимость прямого тока через переход (I_пр) от прямого напряжения на переходе (U_пр) (прямая ветвь вольтамперной характеристики электронно-дырочного перехода) при комнатной температуре 27⁰С. Аналогичные измерения проведите при температуре 75⁰С и 125⁰С.

Для изменения значения сопротивления переменного резистора Rустановите шаг увеличения/уменьшения сопротивления резистора R (Increment) равным 1%. Для уменьшения значения сопротивления переменного резистора R необходимо нажимать клавишу R, а для увеличения – Shift+R. Измерения проводите при изменении значения сопротивления R от 99% до 1% (значения 100% и 0% программа «Electronics Workbench» не воспринимает).

Попытайтесь получить значения тока через переход I_пр в следующих пределах:

1) 100 – 300 mA 2) 300 – 500 mA 3) 500 – 700 mA 4) 700 – 900 mA

5) 0,9 – 1,0 mA 6) 1,0 – 1,2 mA 7) 1,2 – 1,4 mA 8) 1,4 – 1,6 mA

9) 1,6 – 1,8 mA 10) 1,8 – 2,0 mA 11) 2,0 – 2,3 mA 12) 2,3 – 2,6 mA

13) 2,6 – 3,0 mA 14) 3,0 – 3,5 mA 15) 3,5 – 4,0 mA 16) 4,0 – 5,5 mA

17) 5,5 – 8,0 mA 18) 8,0 – 12,0 mA 19) 12,0 – 20,0 mA.

Данные измерений занесите в таблицу:

Германиевый p-n-переход
Iпр, мА
Uпр, мВ

Аналогичные измерения проведите при температуре 75⁰С и 125⁰С.

Постройте графики прямой ветви вольтамперной характеристики германиевого электронно-дырочного перехода для 27⁰С, 75⁰С и 125⁰С.