СОДЕРЖАНИЕ РАЗДЕЛОВ ДИСЦИПЛИНЫ

 

Семестр

 

Раздел 1. Пассивные компоненты электронных схем

Резисторы и резистивные материалы. Конденсаторы и конденсаторные материалы. Магнитные элементы и материалы, дроссели и трансформаторы.

 

Раздел 2. Полупроводниковые компоненты электронных схем

Полупроводниковые диоды: диоды с p-n-переходом; p-i-n диоды; диоды Шоттки.

Силовые транзисторы: мощные биполярные транзисторы, принцип действия, базовые структуры; полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом, статические индукционные транзисторы, принцип действия, базовые структуры; мощные МДП-транзисторы с коротким каналом, принцип действия, базовые структуры; биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT), принцип действия, базовые структуры.

Силовые тиристоры: однооперационные тиристоры, принцип действия, базовые структуры; двухоперационные (запираемые) тиристоры, принцип действия, базовые структуры; полевые тиристоры, принцип действия, базовые структуры.

Оптоэлектронные приборы: диодные оптроны; транзисторные оптроны; тиристорные оптроны; оптоэлектронные приборы повышенной яркости, светодиоды.

 

Раздел 3. Переходные процессы в полупроводниковых ключах

Переключение силовых диодов. Переключение силовых транзисторов на резистивную нагрузку. Переключение силовых транзисторов на емкостную нагрузку. Переключение силовых транзисторов на индуктивную нагрузку. Включение и выключение силовых тиристоров.

 

Раздел 4. Расчет и моделирование тепловых потерь мощности в силовых ключах

Расчет потерь мощности в силовых ключах. Расчет температуры перегрева, тепловое сопротивление.

 

Содержание лекций

Лекция 1. Обзорная лекция по разделам 1 и 2 «Пассивные компоненты электронных схем», «Полупроводниковые компоненты электронных схем» (2 часа).

Лекция 2. Обзорная лекция по разделу 3 «Переходные процессы в полупроводниковых ключах» (2 часа).

Лекция 3. Обзорная лекция по разделу 4 «Расчет и моделирование тепловых потерь мощности в силовых ключах» (2 часа).

 

Содержание лабораторных занятий

Лабораторное занятие 1. Расчет потерь мощности в диодном ключе, ключах на биполярном, МДП-транзисторе и IGBT (4 часа).

Литература