СОДЕРЖАНИЕ РАЗДЕЛОВ ДИСЦИПЛИНЫ
Семестр
Раздел 1. Пассивные компоненты электронных схем
Резисторы и резистивные материалы. Конденсаторы и конденсаторные материалы. Магнитные элементы и материалы, дроссели и трансформаторы.
Раздел 2. Полупроводниковые компоненты электронных схем
Полупроводниковые диоды: диоды с p-n-переходом; p-i-n диоды; диоды Шоттки.
Силовые транзисторы: мощные биполярные транзисторы, принцип действия, базовые структуры; полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом, статические индукционные транзисторы, принцип действия, базовые структуры; мощные МДП-транзисторы с коротким каналом, принцип действия, базовые структуры; биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT), принцип действия, базовые структуры.
Силовые тиристоры: однооперационные тиристоры, принцип действия, базовые структуры; двухоперационные (запираемые) тиристоры, принцип действия, базовые структуры; полевые тиристоры, принцип действия, базовые структуры.
Оптоэлектронные приборы: диодные оптроны; транзисторные оптроны; тиристорные оптроны; оптоэлектронные приборы повышенной яркости, светодиоды.
Раздел 3. Переходные процессы в полупроводниковых ключах
Переключение силовых диодов. Переключение силовых транзисторов на резистивную нагрузку. Переключение силовых транзисторов на емкостную нагрузку. Переключение силовых транзисторов на индуктивную нагрузку. Включение и выключение силовых тиристоров.
Раздел 4. Расчет и моделирование тепловых потерь мощности в силовых ключах
Расчет потерь мощности в силовых ключах. Расчет температуры перегрева, тепловое сопротивление.
Содержание лекций
Лекция 1. Обзорная лекция по разделам 1 и 2 «Пассивные компоненты электронных схем», «Полупроводниковые компоненты электронных схем» (2 часа).
Лекция 2. Обзорная лекция по разделу 3 «Переходные процессы в полупроводниковых ключах» (2 часа).
Лекция 3. Обзорная лекция по разделу 4 «Расчет и моделирование тепловых потерь мощности в силовых ключах» (2 часа).
Содержание лабораторных занятий
Лабораторное занятие 1. Расчет потерь мощности в диодном ключе, ключах на биполярном, МДП-транзисторе и IGBT (4 часа).
Литература