КУСОЧНО-ЛИНЕЙНАЯ АППРОКСИМАЦИЯ.
Рис. 23. Линейно-ломаная зависимость.
Наряду с полиномиальной аппроксимацией ВАХ в радиотехнике и связи широко используется их аппроксимация линейно-ломаной зависимостью - совокупностью отрезков прямых, образующих в интервале аппроксимации непрерывную функцию f(x). Так, на рис. 23 приведена линейно-ломаная зависимость
составленная из двух отрезков прямых и аппроксимирующая в интервале 0≤х≤1,50 функцию 1- е-х с абсолютной погрешностью, не превышающей 0,024.
Параметры аппроксимирующих прямых могут быть выбраны так, чтобы в интервале аппроксимации выполнялся критерий (12) или (12.1).
В пределах каждого из линеаризированных участков вольтамперной характеристики применимы все методы анализа колебаний в линейных электрических цепях. Ясно, что чем на большее число линеаризированных участков разбивается заданная вольтамперная характеристика, тем точнее она может быть аппроксимирована и тем больше объем вычислений в ходе анализа колебаний в цепи.
Пример
Рис. 24. График экспериментальной зависимости
iБ=F(uБЭ) транзистора КТ306
На рис. 24 (кривая 1) приведен график экспериментальной зависимости iБ=F(uБЭ) транзистора КТ306. Выполним кусочно-линейную аппроксимацию этой зависимости. где Uотс- напряжение отсечки.
Используя полином первой степени
iБ = а0 + a1 (uБЭ - U0),
осуществим аппроксимацию заданной зависимости в окрестности точки U0= 0,8 В и определим коэффициенты по методу Тейлора:
Ток в рабочей точке в соответствии с эксперементальными данными I0 = 1,2 мА. Крутизну S(U0) в рабочей точке можно найти приближенно методом приращений
В результате аппроксимации получим
iБ = 1,2 + 4( uБЭ - 0,8) = -2 + 4uБЭ = 4(uБЭ - 0,5)мА.
Видно, что при uБЭ < 0,5. В ток iБ принимает отрицательные значения, что несогласуется с эксперементальной зависимостью. Таким образом, полученным полиномом будем аппроксимировать заданную зависимость на участке uБЭ >0,5. На участке же 0 < uБЭ < 0,5 можно выбрать полином первой степени с нулевыми коэффициентами, т.е. iБ = 0. Итак, аппроксимирующая функция запишется в виде ( рис. 24, кривая 2)
Представим эту зависимость в более общей форме:
2.8.2ДРУГИЕ ВИДЫ АППРОКСИМАЦИЙ ВОЛЬТ-АМПЕРНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК
Вольт-амперная характеристика идеализированного полупроводникового диода совпадает с характеристикой идеолизированного p-n перехода.
i= I0(eu/φT - 1) (13)
где I0 - обратный (тепловой) ток, φT - тепловой потенциал (φT ≈ 0,026 В при Т = 300К).
Функция (13) иногда используется для аппроксимации вольт-амперных характеристик. Ее единственным варьируемым параметром является обратный ток I0, значение которого можно найти, интерполируя заданную характеристику функцией (13) в одной из точек.