КУСОЧНО-ЛИНЕЙНАЯ АППРОКСИМАЦИЯ.

 

Рис. 23. Линейно-ломаная зависимость.

 

Наряду с полиномиальной аппроксимацией ВАХ в радиотехнике и связи широко используется их аппроксимация линейно-ломаной зависимостью - совокупностью отрезков прямых, образующих в интервале аппроксимации непрерывную функцию f(x). Так, на рис. 23 приведена линейно-ломаная зависимость

 

составленная из двух отрезков прямых и аппроксимирующая в интервале 0≤х≤1,50 функцию 1- е с абсолютной погрешностью, не превышающей 0,024.

Параметры аппроксимирующих прямых могут быть выбраны так, чтобы в интервале аппроксимации выполнялся критерий (12) или (12.1).

В пределах каждого из линеаризированных участков вольтамперной характеристики применимы все методы анализа колебаний в линейных электрических цепях. Ясно, что чем на большее число линеаризированных участков разбивается заданная вольтамперная характеристика, тем точнее она может быть аппроксимирована и тем больше объем вычислений в ходе анализа колебаний в цепи.

 

Пример

 

Рис. 24. График экспериментальной зависимости

iБ=F(uБЭ) транзистора КТ306

 

На рис. 24 (кривая 1) приведен график экспериментальной зависимости iБ=F(uБЭ) транзистора КТ306. Выполним кусочно-линейную аппроксимацию этой зависимости. где Uотс- напряжение отсечки.

Используя полином первой степени

 

iБ = а0 + a1 (uБЭ - U0),

 

осуществим аппроксимацию заданной зависимости в окрестности точки U0= 0,8 В и определим коэффициенты по методу Тейлора:

 

 

Ток в рабочей точке в соответствии с эксперементальными данными I0 = 1,2 мА. Крутизну S(U0) в рабочей точке можно найти приближенно методом приращений

 

В результате аппроксимации получим

 

iБ = 1,2 + 4( uБЭ - 0,8) = -2 + 4uБЭ = 4(uБЭ - 0,5)мА.

 

Видно, что при uБЭ < 0,5. В ток iБ принимает отрицательные значения, что несогласуется с эксперементальной зависимостью. Таким образом, полученным полиномом будем аппроксимировать заданную зависимость на участке uБЭ >0,5. На участке же 0 < uБЭ < 0,5 можно выбрать полином первой степени с нулевыми коэффициентами, т.е. iБ = 0. Итак, аппроксимирующая функция запишется в виде ( рис. 24, кривая 2)

 

 

Представим эту зависимость в более общей форме:

 

 


2.8.2ДРУГИЕ ВИДЫ АППРОКСИМАЦИЙ ВОЛЬТ-АМПЕРНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК

 

Вольт-амперная характеристика идеализированного полупроводникового диода совпадает с характеристикой идеолизированного p-n перехода.

 

i= I0(eu/φT - 1) (13)

 

где I0 - обратный (тепловой) ток, φT - тепловой потенциал (φT ≈ 0,026 В при Т = 300К).

Функция (13) иногда используется для аппроксимации вольт-амперных характеристик. Ее единственным варьируемым параметром является обратный ток I0, значение которого можно найти, интерполируя заданную характеристику функцией (13) в одной из точек.