ВВЕДЕНИЕ

В настоящее время исследования и разработки в области электроники являются основой научно-технического прогресса, обеспечивающего освоение передовых технологий, автоматизацию производства и обмен информацией в различных сферах человеческой деятельности. В созданных и успешно применяемых на практике электронных приборах воплощены достижения в исследованиях процессов взаимодействия электронов с электромагнитными полями в полупроводниках, в вакууме, в газовом разряде и других средах. При этом электронные приборы выполняют функции различных видов преобразования энергии и информационных параметров сигналов в различных рабочих средах. Физические процессы, лежащие в основе таких преобразований, чрезвычайно разнообразны, и для своего математического описания требуют применения соответствующих теоретических моделей взаимодействия электронов с электромагнитными полями.

На основе разработанных математических моделей производятся расчеты эффективности такого взаимодействия и выбор рабочих режимов и эксплуатационных параметров электронных приборов. В связи с этим проведение на лабораторных и практических занятиях расчетов характеристик отдельных элементов полупроводниковых структур и электровакуумных электронных приборов является составной частью изучения данного учебного курса.

Работа 1

 

Вольт-амперные характеристики

Полупроводникового диода

 

Цель работы

I. Расчет и построение вольт-амперных характеристик полупроводникового диода при различных электрофизических параметрах идеального p – n-перехода.

II. Расчет и построение вольт-амперных характеристик

полупроводникового диода при учете сопротивления базы.