Приборов . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . . . . . . . . . 56

МОСКОВСКИЙ АВИАЦИОННЫЙ ИНСТИТУТ

(ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ)

ФАКУЛЬТЕТ РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ

ЛЕТАТЕЛЬНЫХ АППАРАТОВ

 

К.П. КИРДЯШЕВ

 

 

МОДЕЛИРОВАНИЕ ФИЗИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ В ЭЛЕКТРОННЫХ ПРИБОРАХ

 

МОСКВА, 2007

СОДЕРЖАНИЕ

Предисловие . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3

Введение .. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5

Раздел первый. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ. . .. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6

Работа 1. Вольт-амперные характеристики полупроводникового диода . . . 6

Работа 2. Барьерная емкость полупроводникового диода и электронная

перестройка частоты колебательного контура . . . . . . . . . . . . . . . 13

Работа 3. Вольт-амперные и световые характеристики фотодиода . . . . . . 20

Работа 4. Параметры и статические характеристики МДП-транзистора . .29

Раздел второй. ЭЛЕКТРОВАКУУМНЫЕ ПРИБОРЫ. СВЧ ПРИБОРЫ С ДИНАМИЧЕСКИМ УПРАВЛЕНИЕМ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38

Работа 5. Термоэмиссионные характеристики вакуумного диода . . . . . . . 38

Работа 6.. Траектории электронного пучка в электровакуумных приборах

с электростатическим отклонением . .. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 47

Работа 7. Движение электронов в магнитном поле электровакуумных

приборов . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . . . . . . . . . 56

Работа 8. Режимы генерации СВЧ колебаний и параметры колебательной

системы отражательного клистрона . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 66