РАСЧЕТНОЕ ЗАДАНИЕ № 2
ИЗУЧЕНИЕ ТРАНЗИСТОРНЫХ УСИЛИТЕЛЕЙ
2.1. Цель работы
2.1.1. Изучить влияние элементов схемы усилителей на режим работы транзисторов.
2.1.2. Научиться производить расчет усилителей с использованием характеристик транзисторов.
2.2. Содержание расчетного задания
2.2.1. Выполнить расчет однокаскадного усилителя (рис. 2.1) с использованием характеристик транзистора указанного в индивидуальном задании к работе N 1.
2.2.2. При расчете необходимо определить значения RK, R1, R2, Rэ, обеспечивающие работу усилителя в классе А и значения С1, С2, Сэ, обеспечивающее коэффициент частотных искажений Мн = 1,1.
2.2.3. Определить Mв и КПД усилителя для случая работы в классе А и классе В, а также сопротивление нагрузки Rн, обеспечивающее максимум мощности, отдаваемой в нагрузку.
2.2.4. Рассчитать коэффициент усиления, Rвx и Rвыx для каскада с последовательной и параллельной обратной связью по току и напряжению.
2.2.5. Изучить схемы усилителей, приведенные на рис. 2.4 и определить тип обратной связи.
2.3. Методические указания
Для расчета элементов схемы однокаскадного усилителя работающего в режиме А необходимо использовать рассмотренные в работе 1 входные и выходные характеристики транзистора и полученные по ним значения Iб0, Uб0, Iк0, Iкm и Uкm. Для задания положения рабочей точки на середине линейного участка входной характеристики необходим источник напряжения смещения, обычно для этого используют делитель напряжения Ек на резисторах. В схеме усилителя приведенной на рис. 2.1 делитель выполнен на резисторах R1 и R2.
При изменении температуры транзистора за счет обратного тока с цепи коллектора в базу Iкбо положение рабочей точки будет изменяться, что при усилении сигнала вызовет его искажение. Для термостабилизации положения рабочей точки в цепь эммитера транзистора включают резистор Rэ. Ток эммитера протекающий через Rэ создает на нем падение напряжения,
Рис. 2.1. Однокаскадный усилитель по схеме с ОЭ
Рис. 2.2. Эквивалентная схема усилителя в области низких частот
Рис. 2.3. Эквивалентная схема усилителя в области высших частот
которое через R2 подается на базу транзистора и возвращает рабочую точку на середину линейного участка входной характеристики.
Для расчета делителя R1, R2 необходимо взять ток делителя в 5-10 раз большим тока Iб0, чтобы изменяющийся ток базы транзистора не влиял на Uбо. Можно ток делителя рассчитать и по паспортным данным транзистора через Iк.max и h21=b. По этим данным определяют Iбmax, используя уравнение
, (2.1)
Ток делителя рассчитывают по формуле
, (2.2)
Параметры делителя рассчитываются по формулам
, , (2.3)
где Е1=12 В.
Термостабилизирующее сопротивление Rэ определяют из условия
, (2.4)
Емкость блокирующего конденсатора Сэ, устраняющего отрицательную обратную связь по переменному току, определяется из условия
, (2.5)
где Хсэ - сопротивление емкости на низшей частоте усиливаемого сигнала (20 Гц). Хсэ= 2πfСэ. Отсюда Сэ=Хсэ/2πf.
В безтрансформаторных многокаскадных усилителях широкое распространение получили схемы с емкостной связью (рис. 2.1).
Каскад такого типа содержит переходные конденсаторы С1 и С2. Конденсатор С1 изолирует источник сигнала Ег от входа каскада по постоянному току и соединяет их по переменной составляющей. Конденсатор С2 выполняет аналогичные функции по отношению к выходу каскада и нагрузке Rн. Емкости этих конденсаторов оказывают влияние на работу каскада в области низших частот и при передаче вершины импульсов.
Упрощенная эквивалентная схема усилительного каскада в области низших частот приведена на рис. 2.2.
Величина емкости С1 определяется исходя из допустимого значения коэффициента частотных искажений (на низшей частоте), который определяется выражением:
,
где Кио - коэффициент усиления на средних частотах;
Кин - тоже на низшей частоте усиливаемого сигнала;
τН - постоянная времени входной цепи каскада в области низших частот.
τН = С1 × (RГ +Rвхоэ), (2.6)
где RГ - внутреннее сопротивление источника сигнала (при расчётах принять RГ = 450 Ом ).
Rвх = Rвхоэ // R1 // R2 , (2.7)
Rвх эквивалентно параллельно включенным R1, R2 и Rвх.
Окончательно
. (2.8)
Коэффициент частотных искажений в области высших частот определяется из выражения:
. (2.9)
Эквивалентная схема усилителя при работе его в области высших частот приведена на рис. 2.3.
Постоянная времени в области высших частот τв, обусловлена емкостью Ск (приведена в паспортных данных транзистора) и определяется уравнением
τв = СК × ( rК // RК // RН ), (2.10)
где rк - дифференциальное сопротивление коллекторного перехода, рассчитанный в работе № 1
При расчетах принять RН = RК.
КПД коллекторной цепи усилителя вычисляется по формуле:
, (2.11)
где Uк.max , Iк.max, - амплитуда коллекторного напряжения и тока полученные графически (см.рис. 1.1,в);
Ек - ЭДС источника питания;
Iк0 - ток коллектора в точке покоя (см. рис. 1.1,в).
Общий КПД каскада вычисляется с учетом потерь в выходном трансформаторе (если он имеется ) и цепи смещения.
Максимальную мощность в нагрузку RН усилитель отдает при условии Rн = Rвых. Определение Rвых дано в работе № 1.
Коэффициент усиления усилителя, охваченного отрицательной обратной связью
, (2.12)
где b0- коэффициент обратной связи (при расчетах принимать b0=0,2);
К - коэффициент усиления без обратной связи рассчитанный в работе №1.
Различают обратную связь по напряжению - сигнал обратной связи (Uос или Iос ) пропорционален выходному напряжению - и обратную связь по току - сигнал обратной связи пропорционален выходному току.
Рис. 2.4. Схемы усилителей с различными типами обратных связей.
По способу сложения сигнала обратной связи с выходным сигналом различают: обратную связь со сложением напряжения (последовательная ОС) и обратную связь со сложением токов (параллельную ОС).
Значение входного и выходного сопротивлений для каждого из типов отрицательной ОС рассчитывается по формулам:
при последовательной ОС:
Rвх.ос = Rвх. × (1 + b0 ×K ), (2.13)
при параллельной ОС:
Rвх.ос = Rвх. / (1 + b0 ×K ), (2.14)
при обратной связи по напряжению:
Rвых.ос = Rвых. / (1 + b0 ×K ), (2.15)
при обратной связи по току:
Rвых.ос = Rвых. × (1 + b0 ×K ), (2.16)