Быстродействующие схемы ТТЛ. Транзистор Шоттки

МС ТТЛ повышенного быстродействия.

Быстродействие МС можно повысить двумя путями: а) уменьшая сопротивление резисторов и паразитные емкости; б) предотвращая насыщение транзисторов схемы, а, следовательно, и накопление носителей зарядов в их базах.

Малые сопротивления в МС серий 130 и 131 (t_З.Р. – 12 нс при Р – 23 мВт).

Базовый элемент в принципе не отличается от аналогичных элементов других серий ТТЛ.

Выходной каскад с парой совмещенных транзисторов (схема Дарлингтона) обладает меньшим выходным сопротивлением, что способствует быстродействию.

Более результативный и перспективный путь связан с применением транзисторов с барьером Шотки.