Кpаткие теоретические сведения

МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ ПО ПРОВЕДЕНИЮ ЛАБОРАТОРНО-ПРАКТИЧЕСКОЙ РАБОТЫ

 

«СНЯТИЕ ХАРАКТЕРИСТИК И ОПРЕДЕЛЕНИЕ h-ПАРАМЕТРОВ ТРАНЗИСТОРА, ВКЛЮЧЕННОГО ПО СХЕМЕ C ОБЩЕЙ БАЗОЙ»

Цели работы: - изучение особенностей работы транзистора, включенного с общей

базой;

- снятие семейств входных и выходных характеристик;

- ознакомиться с методом определения h-паpаметpов по статическим

характеристикам;

- расчет параметров эквивалентной схемы транзистора: rэ, rб, rк.

 

Кpаткие теоретические сведения

 

Транзистор - активный элемент, усиливающий мощность электрического сигнала. Это усиление происходит за счет потребления энергии внешних источников питания.

В электрическую сеть транзистор включают таким образом, что один из его выводов является входным, второй выходным, а третий общим для входной и выходной цепи. В зависимости от того, какой электрод является общим, различают три схемы включения транзисторов: с ОБ, с ОЭ, с ОК. Каждая схема включения характеризуется семействами статических характеристик, снимаемых при отсутствии нагрузок в выходной цепи.

Для аналитических расчетов транзисторных каскадов пользуются эквивалентными схемами транзисторов, которые отражают структурную связь параметров транзистора в режиме усиления переменного тока.

Эквивалентную схему транзистора можно представить в виде четыpехполюсника, имеющего два входных и два выходных внешних зажима (pис.1). Такой четыpехполюсник математически описывается системой из двух линейных алгебраических уравнений с четырьмя неизвестными коэффициентами. Эти уравнения описывают связь между входными (током I1 и напряжением U1) и выходными (током I2 и напряжением U2) параметрами.

 

 

Рис.1.

 

Паpаметpы, связанные с представлением транзистора в виде четыpехполюсника, называются вторичными. Существует несколько систем вторичных параметров. Различают системы z-, y-, h-паpаметpов.

Наибольшее распространение получила система h-паpаметpов, т.к. её параметры наиболее удобно измерять, а также определить графически по статическим характеристикам транзистора. Паpаметpы этой системы определяются из режимов холостого хода на входе и короткого замыкания на выходе четыpехполюсника.

Система h-паpаметpов описывается следующими уравнениями:

 

U1 = h11 I1 + h12 U2;

I2 = h21 I1 + h22 U2,

 

где h11 = U1/I1 при U2 = 0 - входное сопротивление при коротком замыкании на выходе;

h12 = U1/U2 при I1= 0 - коэффициент обратной связи при холостом ходе на выходе;

h21 = I2/I1 при U2 = 0 - коэффициент передачи тока от входа к выходу при коротком

замыкании на выходе;

h22 = I2/U2 при I1=0 - выходная проводимость при холостом ходе на выходе.

 

Для измерения h-паpаметpов транзистора используется метод подачи на транзистор переменных токов или метод их определения по статическим характеристикам. В данной работе используется второй метод.