Входное сопротивление транзистора

R_вх.т=r_б+(h_21э+1)(r_э.диф+R_э.н)

достигает значительной величины.

Для каскада R_вх=R_вх.т || R_б

 

Выходное сопротивление транзистора

 

R_вых= U₂/I₂ при U₁=0, R_э.н=µ.

 

I₂ =U₂ / (r_э.диф + r_б) + [r_б / (r_б + r_э.диф)] h_21эI_б

 

Отсюда R_вых.т = r_э.диф + r_б/(h_21э+1).

Кстати, оно равно R_вх.т в схеме с общей базой. Если учесть и внутреннее сопротивление источника сигнала:

R_{вых. т} = r_{э. диф} + (r_б + R^\_r)/(h_21э+1)

R_{вых. т} имеет небольшие значения. При I=5 mA, h_21э=50, r_б =200 Ом

R_{вых. т=} 25/5 + 200/50 =9 Ом

 

При учете R_r величина R_{вых. т} возрастает, и при R_r ® µ. R_{вых. т} ® r^*_к.диф Практически при R_r @ 2 кОм R_вых.т @ 100 Ом .