ПРАКТИЧЕСКАЯ ЧАСТЬ

Исходные данные:

- Ток коллектора Iк = 10^-3 А

 

- Напряжение (коллектор-эмиттер) Uкэ = 5 В

 

- Длина эмиттера Lэ = 3 ∙ 10^-3 см

 

- Ширина эмиттера Zэ = 3 ∙ 10^-3 см

 

- Глубина N-области (эмиттер) Xэ = 10^-3 см

 

- Глубина P-области (активная база) Xк = 2 ∙ 10^-3 см

 

- Толщина эпитаксиальной пленки Wэп = 5 ∙ 10^-3 см

 

- Поверхностная концентрация в эмиттере Nд = 10²⁰

- Поверхностная концентрация в базе Nап = 10¹⁸

 

- Концентрация в эпитаксиальной пленке Nэп = 10¹⁶

 

- Температура окружающей среды Тс = 300 К

 

 

Таблица 1

Lэ, 10-3 см	Bcт	Сбэ, 10-12 Ф	Fг, 108 Гц	Uкб проб, В
20	39,9	8,98	3,23	68,9
30	41,2	13,1	2,62	68,9
40	41,7	17,2	2,2	68,9
50	41,9	21,2	1,89	68,9

 

Рис. 1 – зависимость параметров от Lэ

Таблица 2

Xэ, 10-3 см	Bcт	Сбэ, 10-12 Ф	Fг, 108 Гц	Uкб проб, В
10	41,2	13,1	2,62	68,9
15		9,71	3,42	68,9
20		7,72	4,16	68,9
25		6,42	4,81	68,9

Рис. 2 – зависимость параметров от Xэ

 

Таблица 3

Nап, 1017 см	Bcт	Сбэ, 10-12 Ф	Fг, 108 Гц	Uкб проб, В
5	77,2	11,8	3,02	68,9
10	41,2	13,1	2,62	68,9
50	8,77	16,2	1,9	68,9
100	4,41	17,2	1,65	68,9

 

Рис. 1 – зависимость параметров от Nап

 

ВЫВОДЫ

В ходе работы была исследована взаимосвязь конструктивных и электрических параметров интегрального биполярного n-p-n-транзистора (БТ). Изучили конструкцию и физико-топологическую модель интегрального n-p-n БТ. Провели теоретические исследования взаимосвязи конструктивных и электрических параметров БТ.