Свойства

Классификация полевых транзисторов

 

Полевые транзисторы (FET: Field-effect transistor) разделяются на два типа – полевой транзистор с управляющим p-n переходом (JFET: Junction Gate Field-effect Transistor) и полевой транзистор с изолированным затвором (MOSFET: Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor).

Каждый из типов может быть как с n-каналом, так и с p-каналом. У транзисторов с n-каналом в роли носителей электрического заряда выступают электроны. У транзисторов с p-каналом – дырки.

 

Обозначение на схемах

Устройство

 

 

Принцип работы

 

 

Параметры

 

 

Свойства

Поскольку у полевого транзистора нет управляющего тока, то у него очень высокое входное сопротивление, достигающее сотен ГигаОм и даже ТерраОм (против сотен КилоОм у биполярного транзистора).

Еще полевые транзисторы иногда называют униполярными, поскольку носителями электрического заряда в нем выступают только электроны или только дырки. В работе же биполярного транзистора, как следует из названия, участвует одновременно два типа носителей заряда – электроны и дырки.