Примесные полупроводники

 

Концентрации основных носителей заряда в примесных полупроводниках может быть оценена из соотношений (1.2.10) и (1.2.11). Однако, если известна концентрация и энергия ионизации атомов донора и акцептора, то концентрацию электронов и дырок удобно рассчитывать по следующим формулам

, для n – типа (1.2.16)

, для р – типа, (1.2.17)

где - соответственно энергии ионизации атома донора и атома акцептора; N_d, N_A - соответственно концентрация ионизированных доноров и акцепторов.

Учитывая, что произведение концентрации электронов и дырок есть величина постоянная для данного полупроводника при заданной температуре и давлении (закон действующих масс), концентрацию неосновных носителей заряда можно оценить, используя этот закон

(1.2.18)

, (1.2.19)

где - сответственно концентрация неосновных носителей заряда.