ХАРАКТЕРИСТИКИ и параметры
Биполярного транзистора
Отчет
по лабораторной работе № 6
по курсу “Электроника”
Студент группы
М – 72н Куликов А.П.
Преподаватель
Доц.к.т.н.
(Отчет подписывается автором (бригадиром) и проставляется число)
Екатеринбург, 2010
Таблица вариантов
Вариант выбирается согласно порядковому номеру в групповом журнале.
Нечетные номера выбирают транзистор в закладке ‘Motorol 1’, четные – в закладке ‘National 2’.
Выбранные транзисторы буду использоваться в последующих лабораторных работах.
| Motorol 1 | National 2 | ||
| № | Тип транзистора | № | Тип транзистора |
| BC394 | PN2369 | ||
| BSSS71 | PN2369A | ||
| BF258 | PN4274 | ||
| BSX20 | PN4275 | ||
| Q2N1893 | PN5134 | ||
| Q2N2895 | PN5135 | ||
| Q2N2896 | PN5136 | ||
| Q2N3500 | PN5137 | ||
| Q2N3501 | PN3642 | ||
| Q2N4014 | PN3641 | ||
| Q2N4400 | PN5134 |
Библиографический список
1. Попов В.П. Основы теории цепей/ Учебник для ВУЗов.-М.: ВШ. 1985.-496 с.
2. Глазенко Т.А., Прянишников В.А. Электротехника и основы электроники. М.: Высшая школа. 1-е изд. –1985, 2-е изд. –1996.
Порядок выполнения работы
3.1 Снять семейство входных характеристик транзистора Iб=F(UбЭ) при UКЭ=Const. При снятии входных характеристик удобнее задавать значения тока базы и измерять напряжение между базой и эмиттером UбЭ.
Рекомендуемый ряд значений тока базы приведен в таблице 1, строка Iб. Уменьшить напряжение источника V1 до 0,1 В и повторить измерения.
По результатам измерений заполнить таблицу 1 строки 2 и 3.
Таблица 1
| ТºС | Iб(мкА) | |||||||||||
| V1=0,1В | UбЭ(мВ) | |||||||||||
| V1=5В | UбЭ(мВ) | |||||||||||
| V1=5В | UбЭ(мВ) |
3.2. Снять входную характеристику Iб=F(UбЭ) при V1 =5В и температуре окружающей среды Т=60ºС. Для установки температуры войти в меню Analysis, выбрать опцию Analysis options. В открывшемся окне выделить вкладку Global и установить значение переменной Simulation temperature (TEMP) равное заданной температуре 60 degrees C. (Значение температуры высвечивается в нижней строке экрана). Выполнить измерения и заполнить строку 4.
Установить прежнее значение температуры 27 degrees C (27ºС или 300ºК).
3.3. Снять семейство выходных статических характеристик транзистора IК = F(UКЭ) при Iб = Const. Напряжение между коллектором и эмиттером UКЭ задает источник V1.
Для этого устанавливается ток базы Iб = 20 мкА (μА). Изменяется напряжение на коллекторе и записывается значение тока коллектора IК в строки. Устанавливается следующее значение тока базы и опыт повторяется.
Значения напряжения на коллекторе указаны в таблице.
Таблица 2
| ТºС | Uкэ(В) | 0,1 | |||||||
| Iб=20 μА | IК | ||||||||
| Iб=40 | IК | ||||||||
| Iб=60 | IК | ||||||||
| Iб=80 | IК | ||||||||
| Iб=120 | IК | ||||||||
| Iб=60 Iб=80 | IК |
3.4 Снять две выходных характеристики IК= F(UКЭ) при температуре окружающей среды Т = 60ºС и Iб = 60 мкА и 80 мкА.