Задание 1. Построение вольтамперных характеристик транзистора в схеме с ОЭ.

Схемы включения транзистора с ОЭ представлены на рис.2 (L7_1.ewb) и рис.3 (L7_2.ewb).

Построить статические вольтамперные характеристики (ВАХ) транзистора в схеме с ОЭ.

Задание 2. Определить семейство входных характеристик ВАХ при фиксированных значениях напряжения UКЭ, путем изменения тока IБ, и напряжения UБЭ, (L7_1.ewb).

 

Рис.2. Исследование входных ВАХ биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером.

 

 

Входные статические характеристики транзистора снимать для трех значений UКЭ, которые выбрать с помощью ключей (10В, 20В, 30В). Поддерживая это напряжение неизменным, изменять напряжение между базой и эмиттером UБЭ (потенциометр R1 от 0 до 100%), следить за показаниями амперметра и вольтметра:

IБ = ƒ(UБЭ) при UКЭ = const

Используя результаты измерений построить входные статические характеристики транзистора в схеме с ОЭ.

 

UК, В Входная цепь
потенциометр R1 IБ, мА UБЭ, В
0%
50% 0.0005 0.499
100% 61.70 1.0
0%
50% 0.0005 0.499
100% 61.70 1.0
0%
50% 0.0005 0.499
100% 61.70 1.0

 

 

 

Входная характеристика транзистора

 

В качестве примера, входные характеристики строятся автоматически (L7_1_vax.ewb) для разных значений напряжения UКЭ.

 

Задание 3. Определить семейство выходных ВАХ при фиксированных значениях IБ, путем изменения UКЭ, и IК, (L7_2.ewb).

 

Рис.3. Исследование выходных ВАХ биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером.

 

Выходные характеристики транзистора: IК = ƒ(UКЭ) при IБ = const.

 

Значения IБ установить с помощью ключей (50 мА, 100 мА, 150 мА). Поддерживая IК постоянным, изменять UКЭ (значение R1 от 0 до 100%). Построить выходные статические характеристики транзистора в схеме с ОЭ.

 

IБ, мА Выходная цепь
потенциометр R1 IК, мА UКЭ, В
0% 0.048 0.049
50% 4.922 3.69
100% 4.928 10.00
0% 0.098 0.098
50% 9.918 2.520
100% 9.927 10.00
0% 0.014 0.148
50% 14.92 1.271
100% 14.93 10.00

 

 

 

 

Выходная характеристика транзистора

 

 

В качестве примера, выходные характеристики строятся автоматически (L7_2_vax.ewb) для разных значений тока базы.

 

 

Задание 4. По семействам входных и выходных характеристикам определить значение малосигнальных сигналов: h21э; h22э ; h11 ; h12

Сделать вывод по работе.

Контрольные вопросы

 

1. Как называются слои полупроводниковой структуры транзистора и почему?

2. Что такое коэффициент передачи тока?

3. Чем обусловлено усиление по току в схеме включения транзистора с ОЭ?

4. Назовите основные параметры биполярных транзисторов.