Классификация и система обозначений транзисторов

Система обозначений современных типов транзисторов установлена отраслевым стандартом ОСТ 11336.919-81. В основу системы обозначений положен буквенно-цифровой код.

Первый элемент (цифра или буква) обозначает исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор (цифры используются для маркировки приборов, предназначенных для применения в аппаратуре специального назначения). Второй элемент (буква) определяет подкласс (или группу) транзисторов, третий (цифра) – основные функциональные возможности транзистора. Четвертый элемент (двухзначное число) обозначает порядковый номер разработки технологического типа транзистора, пятый (буква) – условно определяет классификацию по параметрам транзисторов, изготовленных по единой технологии.

Для обозначения исходного материала используются следующие символы:

- Г (или 1) – германий или его соединения;

- К (или 2) – кремний или его соединения;

- А (или 3) – соединения галлия (арсенид галлия);

- И (или 4) – соединения индия.

Для обозначения подклассов используется одна из двух букв: Т – биполярные и П – полевые транзисторы.

Для обозначения основных функциональных возможностей транзистора применяются цифры, значение которых зависит от мощности, рассеиваемой транзистором (таблица 1.2):

 

Таблица 1.2

Верхняя граничная частота	Максимально допустимая мощность
до 0,3 Вт (малой мощности)	0,3 … 1,5 Вт (средней мощности)	свыше 1,5 Вт (большой мощности)
До 3 МГц (низкой частоты)
От 3 до 30 МГц (средней частоты)
Свыше 30 МГц (высокой частоты)

 

Для обозначения порядкового номера разработки используют двузначное число от 01 до 99 (или, при необходимости, трехзначное число от 101 до 999).

В качестве классификационной литеры применяются буквы русского алфавита (за исключением 3, О, Ч, Ы, Ш, Щ, Ю, Ь, Ъ, Э).

Стандарт предусматривает также введение в обозначение ряда дополнительных знаков. В качестве дополнительных элементов обозначения используют следующие символы:

а) цифры от 1 до 9 – для обозначения модернизаций транзистора, приводящих к изменению его конструкции или электрических параметров;

б) буква С – для обозначения наборов в общем корпусе (транзисторные сборки);

в) цифра, написанная через дефис, для бескорпусных транзисторов:

1) 1 – с гибкими выводами без кристаллодержателя;

2) 2 – с гибкими выводами на кристаллодержателе;

3) 3 – с жесткими выводами без кристаллодержателя;

4) 4 – с жесткими выводами на кристаллодержателе;

5) 5 – с контактными площадками без кристаллодержателя и без выводов;

6) 6 – с контактными площадками на кристаллодержателе, но без выводов.

Примеры обозначения транзисторов:

- КТ937А-2 – кремниевый биполярный транзистор большой мощности, высокочастотный, номер разработки 37, группа А, бескорпусный, с гибкими выводами на кристаллодержателе (рисунок 1.40);

 

Рисунок 1.40 – Расшифровка обозначения транзистора

 

- КТ315А – кремниевый биполярный транзистор малой мощности, высокочастотный, номер разработки 15, группа А;

- КП103Л – кремниевый полевой транзистор малой мощности, низкочастотный, номер разработки 3, группа Л;

- ГТ405Г – германиевый биполярный транзистор средней мощности, низкочастотный, номер разработки 5, группа Г.